[参考译文] LMZ35003：设计检查：+48Vin -&gt；5V、12Vout

您好、Adam、

我建议您采用输出电压为5V 的设计并在1MHz 下工作。 选择1MHz 和相关电容以使5V 设计保持稳定(~100uF)、也应该可以在您动态更改 VSET 电阻以将输出电压更改为12V 的同时使该器件支持高达2.5A 的负载电流时实现稳定的设计。

不使用的 PWRGD 可保持悬空。

2. 我尚未仔细研究50V TVS、但是对于我们的36V 器件、我看到大多数客户使用33V (标称值) TVS、以使最大钳位电压仍低于 VIN 上的绝对最大值。 我想您的选择符合要求。

3.您确定的输出电容降额对于设计而言似乎是足够的。

看起来该 EVM 使用25V 陶瓷和大容量电解电容器。 我们建议在较高输出电压下、它可能在低侧。 我们的建议可能有点保守、因为通常、在输出电压较高的情况下、使用固定 int comp CM 降压时、主负载极点(输出电容) 无需如此低的频率即可稳定环路。

您好、Adam、

不用客气。

感谢您的澄清。

这个数字可以 用一些澄清:)  

开关频率系列显示、随着 Vout 降低(从右向左在 x 轴上)、输入电压必须降低才能继续以恒定频率运行。 该器件针对高侧电流检测消隐时间具有最短导通时间(最小占空比)。

例如、在5V 设计中、 如果要在400Khz 和48Vin 的频率下运行、则必须在400Khz 或更低的频率下运行。 如果您对器件进行编程、以获得更高的开关频率、器件仍将处于稳压状态、但频率将降低、导通时间将处于最短状态。 器件会自动执行此操作。

VIN MIN 系列 对我来说有点困惑。 与 NMOS 降压转换器相关的最短关断时间用于刷新引导电容器电荷、但这将与开关频率有关、并且只有一个串联。 该器件具有与最大占空比、高侧 RDS、电感器 DCR 和负载相关的压降电压。 我想曲线说明了最大负载电流下的压降电压(需要 VIN 到 VOUT 的差分)、但对我而言似乎过高。