[参考译文] UCC28951-Q1：适用于 PSFB 拓扑的 SiC MOSFET VDC：950V

您好！

请在下面查看我对您的问题的评论。

1.分享使用 SIC MOSFET 进行 PSFB 的数据。 目前在下一修订版原理图中,我参考东芝5KW 参考设计(5 KW 隔离式双向直流-直流转换器参考设计|东芝电子器件与存储公司|亚洲-英语 )

我搜索了针对 UCC28951的 TI 参考设计数据库、但没有 SiC 参考设计。  https://www.ti.com/reference-designs/index.html

但是、只要使用 SiC 驱动器、您就应该能够将 SiC FET 与此控制器一起使用。  以下链接将带您进入驱动器页面、在此页面中可找到适用于您的应用的半桥和全桥驱动器。

https://www.ti.com/power-management/gate-drivers/overview.html

2.另外,为了加快初级 FET (SIC MOSFET)的关断速度,是否可以 分流 SiC 二极管以加快关断速度? 它会干扰 ZVS 或相关的东西吗？ 图像如下所示

>您应该能够使用与关闭 Si FET 相同的原理。  您将半桥的导通延迟设置为在1/2谐振周期时使 FET 导通。  FET 的关断速度不应影响这一点。

>SiC FET 的电容确实较低、因此比 SiC FET 的关断速度更快。  这将影响匀场电感器的尺寸。

3、 如果按照 Excel 的要求需要匀场电感器,我们不使用匀场电感器? 后果是什么？ 它是仅硬开关还是会干扰任何其他波形？

>如果 Excel 计算结果需要一个匀场电感器,而您不使用一个。  您将无法实现低至50%负载的 ZVS。  然而、如果将导通延迟设置为谐振振振回路频率的1/4、您仍然可以进行谷底开关。

4.在初级侧的漏极到源极 FET 之间添加陶瓷电容器、如下所示。 这是在 CT 之后。 我们可以这样做吗？

>我不建议这样做、因为如果电容太大、这些电容器可能充当高频大容量电容器。

>但是,对于噪声,我看到一些设计师在这里使用小型高频电容器。  如果您决定这样做、我会评估 CT 测量的电流与变压器初级侧中的电流、确保正确测量电流。   

此致、