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[参考译文] LMR14006:需要用于 Ploss 计算的 MOSFET 特性详细信息

Guru**** 2382300 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1428863/lmr14006-mosfet-characteristics-details-requried-for-ploss-calculations

器件型号:LMR14006

工具与软件:

您好!

我想计算 IC 的功率损耗、其中最大耗散分量为其内部 MOSFET。  

数据表中仅提到只能提供导通损耗信息的 RDSon、但不能提供开关损耗估算的上升时间和下降时间。

您能否分享 t_rise / t_fall 估算开关损耗 、或分享 Crss、Ciss、Coss、Vgate、Vth 估算 Trise 和 Tfall?

此致、  
Surabhi Kushwaha.

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    您好、 Surabhi

    感谢您发送编修。 我将在内部进行检查并告知您。

    此致

    Onkar Bhakare

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    您好、Surabhi

    很抱歉耽误您的响应。 我过去几天一直在休假

    我在内部检查了器件的上升约为2V/ns、下降时间将取决于负载电流。

    我希望这对您有所帮助。 如果您有任何其他问题、请告诉我

    谢谢你

    此致

    Onkar

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    您好、Surabhi

    您还可以使用器件数据表中提供的 Webench 和效率数据、获取有关开关损耗的更多信息。

    我希望这对您有所帮助。

    谢谢你

    Onkar