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器件型号：TPS53015 工具与软件：
您好！
从前面的讨论可以看出、对于低 RDS (ON)低侧 FET 设计、IOCL 似乎总是很大。
是否可以直接向低侧 FET 添加额外的电流保护功能、或者是否需要为低 RDS (ON)低侧 FET 解决方案添加额外的电流限制电路？ 如果是、您在此处对设计有什么建议吗？
背景：
对于低 RDS (ON)= 2 -4 mΩ 且低 Vtrip (以较低电流跳闸)
IOCL 主要由 eq 中的 Vtrip/RDS (on)部分主导。
