工具与软件：
我在选择 IC 的过程中遇到了一些 问题,所以我对这些问题感到困惑。
1. 在睡眠模式下、充电 MOSFET 打开时、泄漏电流/功率是多少？
我 在 IC 规范中看到,在睡眠模式下的泄漏电流 是在充电管 关闭时测试的。 然后、我查看指南、 会发现我 可以设置" FET Options[SLEEPCHG]= 1" 以将充电 MOSFET 设置为在睡眠模式下打开。
我还想了解是否可以使用 BQ40z50而不是 BQ4050来降低睡眠模式下的漏电流 ？
IC 记录的总运行时间、 唤醒/睡眠/关断模式的时间是否分别？
在 IC 关断/复位后是否会重置这些时序记录？
感谢您阅读我的问题、希望很快收到您的回复。
您好！
[报价 userid="629721" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1433716/bq4050-leakage-current-in-sleep-mode-total-runtime-problem "]1. 在睡眠模式下、充电 MOSFET 打开时、泄漏电流/功率是多少？
我 在 IC 规范中看到,在睡眠模式下的泄漏电流 是在充电管 关闭时测试的。 然后、我查看指南、 会发现我 可以设置" FET Options[SLEEPCHG]= 1" 以将充电 MOSFET 设置为在睡眠模式下打开。
[报价]我认为数据表中没有指定该配置、但我认为它会大于规定的75uA 睡眠选项、因为它包括 CHG FET。 这可以通过测试得到确认。
关于 bq40z50、我认为这具有相同的值(下面是 bq40z50)：
IC 记录的总运行时间、 唤醒/睡眠/关断模式的时间是否分别？
在 IC 关断/复位后是否会重置这些时序记录？
[报价]由于总固件运行时间是在"Lifetime (寿命)"参数中收集的、因此我认为它遵循下面相同的收集规则：
此致、
Anthony
