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器件型号:BQ25758 工具与软件:
为什么无法将 IC 与 GaN FET 一起使用?
我们尝试将其用于 Infineon (GaN 系统) GS61004B、并总是摧毁 IC。有原因吗?
我们使用了数据表中的此配置:
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Daniel、您好!
无法在 BQ25758中使用 GaN FET。 GaN FET 的栅极泄漏对于 BQ25758来说太大、无法在100%占空比内驱动。 我建议改用硅 FET。 请告诉我这是否合理。
为了方便我参考、您能告诉我为什么要在系统中使用 GaN FET 吗?
顺便说一下、我们最近针对240W USB-EPR 电池充电进行了参考设计: www.ti.com/.../PMP41115
此致、
埃森·加洛韦