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[参考译文] BQ25758:GaN FET 破坏 IC

Guru**** 1821780 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25758
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1434913/bq25758-gan-fet-destroys-ic

器件型号:BQ25758

工具与软件:

为什么无法将 IC 与 GaN FET 一起使用?
我们尝试将其用于 Infineon (GaN 系统) GS61004B、并总是摧毁 IC。有原因吗?
我们使用了数据表中的此配置:  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Daniel、您好!

    无法在 BQ25758中使用 GaN FET。 GaN FET 的栅极泄漏对于 BQ25758来说太大、无法在100%占空比内驱动。 我建议改用硅 FET。 请告诉我这是否合理。

    为了方便我参考、您能告诉我为什么要在系统中使用 GaN FET 吗?

    顺便说一下、我们最近针对240W USB-EPR 电池充电进行了参考设计: www.ti.com/.../PMP41115

    此致、
    埃森·加洛韦