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[参考译文] TPS564247:VSW 下冲接近-2.5V

Guru**** 1821780 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1434431/tps564247-vsw-undershoots-by-nearly--2-5v

器件型号:TPS564247

工具与软件:

================

VIN = 12V

VOUT=5V

VEN = 4V

负载= 3Ω

================

Cin1:22uF x 5  GRM319R61C226ME15

Cin2:0.1uF x 1  GRM155B31H104KE14D

Cout1:22 μ F x 3   GRM319R61C226ME15

Cout2: 0.1uF x 1 GRM155B31H104KE14D

L:1.5uH  1217AS-H-1R5N

RFB (底部):4.7kΩ

RFB (上):Volume +4.7kΩ

================

您是否知道 VSW 波形中下冲的原因?
我将使用评估板作为布局的参考、但评估板似乎没有任何下冲。
此外、目前 Vin 或 Vout 上的下冲没有不利影响、但这个下冲是否会有任何不利影响、例如 IC 损坏?

无源探头: TPP0201 .. 200MHz

示波器: TDS2022B ... 200MHz

VSW↓-2.5V 下冲!

VOUT (AC)↓Vout (AC)/ Vout (DC)= 1%……没问题   

VIN (AC)↓  Vin (AC)/ Vin (DC)= 0.7%……没问题

电路板布局

EVM 板 Vsw↓

====Add====

VSW 欠冲时间3.8ns < 20ns ...no 问题

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    您好!

    要准确测量 SW 波形、请使探头具有良好的补偿效果。 然后使用"小环"非夹子、将环连接到 GND 质量 器件和探头端子连接到 SW 质量 或电感器 质量 . 请检查上面的内容。 谢谢。

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    探针补偿已完成。

    我在 IC4引脚的 GND 附近放置了一个 GND 探头、并在 L 焊盘上测量了 VSW。

    Vsw↓μ V

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    您好!

    此波形在我们的 absmax 规格范围内、因此不会导致 IC 损坏。 谢谢。

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    谢谢你。
    我认为下部 FET 的寄生二极管 Vf 约为-1V、通过此 MOSFET 可在死区时间内产生电流。
    您知道为什么会降至-2V 吗?
    如果可以对布局进行任何改进、敬请告知。

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    您好!

    这是由低侧 FET 至 GND 引脚的寄生电感引起的。 您不需要对其进行改进。 谢谢。