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[参考译文] BQ27Z561-R1:SOH 负载速率参数-它实际存储在何处?

Guru**** 2387830 points
Other Parts Discussed in Thread: BQSTUDIO
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1425121/bq27z561-r1-soh-load-rate-parameter---where-is-it-really-stored

器件型号:BQ27Z561-R1
Thread 中讨论的其他器件:BQSTUDIO

工具与软件:

您好!

我遇到了一个与 FG 数据存储器中的 SOH 参数相关的问题。 SOH 报告为2时不会出现这种问题、但它与 SOH 有关。

您的文档(bq27z561-technical reference sluubo7.pdf)将 SOH Load Rate 参数描述为

记下地址(0x446F)、默认值(50)和单位(0.1小时率)。

我尝试了通过 BqStudio 软件更改此参数。 我看到的默认值是5.0、这在50和0.1小时单位中是合理的。 我将此值更改为2.6并写出了一个新的黄金映像文件。

但是、我看到、这个参数被改变了、实际上是在地址0x4471上。 该地址的值与默认值(在原始文件中)和新值(在新文件中)相匹配、但 sluubo7文档中没有此地址的文档。

此外、我更改了一些其他参数(所有这些都显示了预期地址的差异)、但随后我看到地址范围0x4F80至0x4FCF 处的数据块也更改、但没有关于该段的文档。 您能否提供此地址范围的说明?

谢谢!

Ofer

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    您好、Ofer:

    我建议遵循 BQstudio 中规定的存储器地址、因为某些寄存器的存储器地址可能会根据您使用的固件版本而更改(有时这些更改未在我们的文档中反映)。

    此致、

    Adrian

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    尊敬的 Adrian:

    好的、可以了。

    无文档记载的地址范围0x4F80至0x4FCF 如何? 您能提供这方面的信息吗?

    谢谢!

    Ofer

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    您好、Ofer:

    您能给我发送您正在使用的固件版本吗? 为此、您可以向我发送在 BQStudio 打开时打开的.bqz 文件。

    此致、

    Adrian

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    尊敬的 Adrian:

    您是否指的是该文件?

    谢谢!

    Ofer

    e2e.ti.com/.../4135.1561_5F00_0_5F00_04_2D00_bq27z561_5F00_Bak_5F00_400mAh_5F00_2023.bq.rar

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    您好、Ofer:

    否、可以在下载 BQStudio 的"config"文件夹中找到 bqz 文件。

    此致、

    Adrian

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    尊敬的 Adrian:

    这是一个很好的例子。 "config"目录中有许多 bqz 文件、但这个文件与我的 FG 相匹配。

    谢谢!

    Ofer

    e2e.ti.com/.../1561_5F00_0_5F00_04_2D00_bq27z561.rar

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    您好、Ofer:

    感谢您的观看、我们将与固件团队就此进行核实。

    此致、

    Adrian

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    尊敬的 Adrian:

    固件团队有什么好说的吗?

    谢谢!

    Ofer

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    您好、Ofer:

    我已经和固件团队讨论过、他们不得不说:

    "如果 TRM 或 BQstudio 中未提及存储器地址、则客户不应担心该存储器地址"

    此致、

    Adrian

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    尊敬的 Adrian:

    好的。

    至于 TRM 和 BQStudio 地址之间的不匹配问题、它们是否确认了 BQStudio 地址是正确的地址?

    谢谢!

    Ofer

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    嗨、Ofer、

    他们确认了 BQStudio 是正确的地址。

    此致、

    Adrian

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    尊敬的 Adrian:

    我当然可以了解您固件团队的响应

    "如果 TRM 或 BQstudio 中未提及内存地址、则客户无需担心该内存地址"

    但是、为了确保我的流程不会出错、我想澄清以下几点:

    例如、我要将"Voltage Time"的值从默认值5更改为4。 通过写入此参数而无需担心这些无文档记载的地址、或者这些地址是否以某种方式耦合并更改"Voltage Time"的值以某种方式影响数据闪存中的其他值、是否可以使用我的固件来执行此操作?

    没有什么办法可以问这个问题:我可以采用我通过 BQStudio 生成的黄金映像、并将其写入 FG 后使用固件更改其他参数、还是只能使用 BQStudio 更改参数、并且必须在输出黄金映像之前这样做?

    谢谢!

    Ofer

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    您好、Ofer:

    您可以通过写入该地址来更改参数、我不会担心无文档记载的地址。 您可以使用自己的固件更改 FG (除了更改 ChemID)

    此致、

    Adrian

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    尊敬的 Adrian:

    我懂了。

    再来看一个不同的问题、在校准 FG (特别是电流校准)时、考虑到电流参数存储为 F4、为收敛设置的合理裕度是多少、这会在 FG 的数值计算中固有地引入一些误差。 它应该是-1mA、-2mA、-5mA、OTHER?

    谢谢!

    Ofer

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    您好、Ofer:

    我会推荐+/- 1mA

    此致、

    Adrian