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器件型号：UCC256403 工具与软件：
在 UCC25640x 的示例仿真中(由 slusd90 - june2019给出)、使用理想开关、而不是高侧和低侧 MOSFET。 在此仿真模型中、可以在各种输入电压和负载下获得具有高效率的干净波形。
但是、在模型中应用真正的 MOSFET 时、问题开始变得有点大。
问题1：
高侧栅极电压电平不够高。 高侧 MOSFET 导通后、该电压会立即小于源极电压。 这会导致高侧 MOSFET 立即关断、然后再次导通。在仿真中、输入电压为55VDC、而栅极电压仅约为30VDC。 栅极电压应大于55VDC。
似乎仿真模型无法在 MOSFET 导通时使栅极电压浮动。 我已经测试了自举电路的几个不同变体(不同的 CBOOT 值和不同的二极管)。
下图显示了高侧 MOSFET 的栅极电压和源极电压。
问题2：
此问题与问题1直接相关。 在高侧 MOSFET 应导通的时间段内、高侧栅极电压的尖峰介于10VDC 至30VDC 之间。
在开头我虽然问题是 VCR sense (cupper 或 clower)值或 CISNS 值。 但是、由于仿真模型适用于理想开关、所以我认为问题在于自举电路、或者仿真模型无法仿真自举电路。
所有值都或多或少取自 Excel 工作表设计计算器工作表。
其他信息：
使用 UCC256403控制器。
