This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LMG3422R030:LMG3422R030RQZT

Guru**** 2430620 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG3422R030

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1433820/lmg3422r030-lmg3422r030rqzt

器件型号:LMG3422R030

工具与软件:

主题: 利用 PSpice for TI 评估 LMG3422R030集成式 GaN FET 所需的帮助

尊敬的德州仪器(TI)支持团队:

我目前使用 PSpice for TI 来分析 LMG3422R030集成式 GaN FET 的特征。 但是、在遵循为评估板提供的指南时、我遇到了一些问题。

根据说明、建议在 LDO 的5V 引脚(引脚编号53)上使用0.22 µF 电容器。 但是、当我连接该电容器时、器件无法正常工作。 开始时、我观察到电流值非常高、大约在千安范围内、逐渐降至零、并且我没有观察到任何开关操作。 另一方面、当我使用53号引脚接地的电阻器时、会进行开关操作。

此外、我已经尝试修改 RDRV 引脚上的电阻、以观察压摆率的潜在变化、但我没有看到这些调整对压摆率有任何影响。 您能否就这些问题提供指导、并说明 RDRV 引脚在控制压摆率方面的预期作用?

感谢您的帮助以及提供的宝贵工具和资源。 我期待您对解决这些问题的深入了解。

下面是我在引脚53与接地之间使用电阻时的结果

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    如果您进行相关指导、我们会很有帮助

    谢谢你

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Sekhar:

    请按照以下电路匹配您的仿真测试条件:

    下面随附链接中的技术文档包含详细的原理图。 按照原理图中所示的确切电路操作应该可以解决该问题。

    www.ti.com/.../LMG342X-BB-EVM

    谢谢!

    Subhransu

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    主题: PSpice 中仿真结果所需的帮助

    尊敬的 Subhranshu:

    我已根据评估数据表中提供的原理图连接了电路。 但是、我没有从仿真中获得任何结果。 我尝试过几种方法、但未能获得期望的结果。

    附上我的原理图供您参考。 如果您能指导我解决此问题并帮助我获得正确的仿真结果、我将不胜感激。

    感谢您的时间和帮助。 我期待您的宝贵反馈。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Sekhar:

    Subhranshu 将在今天回答您的问题。

    最棒的餐厅
    Madhur

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Sekhar:

    请考虑以下几个调试步骤、

    1.检查是否没有设备,您可以在隔离器输出端获得信号。 确保所有其他块工作正常

    2.对于器件栅极驱动: 移除 仿真中共享原理图中显示的所有 DNP 器件、如将 LDO5V 和 RDRV 短路的 R3。 还避免了 DNP 部分 C2 0.22uF。

    尝试执行这些步骤、并让我知道您看到了什么。

    谢谢!

    Subhransu