[参考译文] BQ78350-R1A：数据闪存磨损

这是 TI 专有信息。 我们不会发布所有可能的闪存写入用例。

我理解您的观点、即它的  TI 专有信息。 那么我需要澄清以下几点

1) 1) 考虑到购买了刷写 R2/R3 TI FW 的全新 BQ7830-R1A IC、 仅通过 TI 内部算法才能生成 DataFlash 磨损标志需要多长时间。

2) 2)在以下两种情况下、我们使用 Dataflash 写入 DataFlash 地址。 正如我所看到的、数据闪存写入不是一个很好的选择、因为它会磨损 DataFlash。  在这种情况下、您可以帮助为 IC 建议基于 RAM 的命令吗

    2.1)我们有一些算法、需要主机 IC Bq78350在某些条件下启用和禁用电芯平衡。 您能不能建议 IC 使用基于 RAM 的命令来启用/禁用中间的电芯平衡功能。

   2.2)我们有需要写入外部平均增益的算法。 您能建议使用 IC 基于 RAM 的命令来更改外部平均增益吗？

请在澄清时提供帮助、这将是非常有帮助的。

#1：这取决于应用(负载、充电)。 电量监测计会根据放电和充电(终止)期间的多种情况写入闪存。 一个典型的系统会在每个周期向单个闪存页写入一次、因此您应该得到至少20000个周期。

#2：没有直接命令可以在不写入闪存的情况下启用/禁用电池平衡算法。 也没有用于外部电芯分频器增益的基于 RAM 的命令。

#1)您是指此处的下电上电还是 CHG/DSG 下电上电？ 当你说"典型"系统时、你是指在这个周期中"没有错误、没有功能检查点"吗？ 在系统中出现典型周期的概率是多少？ 内部算法在一个周期内闪存写入的最坏情况概率是多少？

#2)对于我们的应用、我们需要动态启用/禁用电池平衡算法。 以及更改外部 电芯分频器增益。 您能在这方面帮助我们吗？ 如果不是 RAM 命令、是否有闪存写入以外的任何替代方法？ 它对我们至关重要。

#1：CHG/DSG 周期(充满电检测、放电至 EDV2)。 监测计将更新 FCC、周期计数、寿命。 则可能会更新自动偏移。

第2章:我看不出这是怎么可以不写入闪存。 没有基于 RAM 的选项用于启用/禁用电芯均衡算法。