[参考译文] LM5116：LM5116：采用 LM5116MH 设计的+24V 至-15V 电路无法启动、VCC 的工作电压无法正常输出5V 电压(仅为1.8V)、OUT 的输出电压(-15V)为0.56V。 我可以问一下外设的设置是否有问题

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您好、任健  

我发现补偿元件 应该 连接到 FB 引脚、但现在它们连接到了 AGND 和 PGND 引脚。  

如果原理图正确、UVLO 引脚电压应~12V、但现在为1.466V

如果原理图正确、EN 引脚电压应为~24V、但现在为9.719V。  

- EL  

引脚 FB 连接正确

直流/直流转换器的正压力变成负压力输出、FB 引脚也是这样官方修改的

您好、任健  

我刚才讨论的是现在连接在 COMP 引脚上的环路补偿组件。 它们应从 COMP 引脚连接至 FB 引脚。

- EL

电源仍然异常、不能工作、VCC 电压为2.0V。μ V

VEN = 12V、UVLO = 1.4V  

校正完 FB 管脚的连接电路、更换新的 LM5116MHX 芯片后现在还可以工作、但是效率不高、比仿真计算的效率要低得多、而且陶瓷电容还有很严重的噪音。 我已经测量了开关控制 MOS 管部分的 IO 波形、请帮忙看看如何优化、提升效率、解决电容噪声呢？

测得的其他效率的说明

您好、任健  

• 在计算效率时、请使用 DVM 来测量电压和电流。 电源或电子负载的电流和/或电压读数不准确。  
• 振荡可使效率低于您的预期。  请检查您是否可以使用 3.65k Ω(R55) +22nF (C90)使其保持稳定。  
• 关于宽脉冲和窄脉冲的信息、如果通过更改负载量出现任何差异、请分享更多波形。  
• 请检查组件温度。  

= EL

改进了3.65k Ω(R55)+22nF (C90)修改。
但上 MOS 管 Q4很容易烧坏、驱动 MOS 管环的 HO 和 LO、有效效率只有90%、效率也不是95%

===下图显示了不同输出电流下的测试波形
图====

...

===下图显示了不同输出电流下的测试波形
图====

===下图显示了负载效率===

======== 在开始的时刻-========

=== HO/LO/SW 的驱动 MOS 管的波形细节===

• ======
  我使用的 MOS 管是   HYG025N06LS1C2

https://item.szlcsc.com/2972418.html

。TI 的100V 耐电压 CSD19534Q5A 也很容易烧毁电流2 μ A

如何修改电路以减少 HO 和 LO 的振铃、并防止 MOS 管烧毁？

您好、 任健

• 在计算效率时、请使用 DVM 来测量电压和电流。 电源或电子负载的电流和/或电压读数不准确。
• 请检查组件温度。
• 您的高侧 MOSFET 现在有问题了。 高侧 MOSFET 上存在8V 压降。 根据 HYG025N06LS1C2、该压降应~ 20mV。 请替换为新的 MOSFET。  
• HO 或 LO 振铃似乎不是 MOSFET 损坏的根本原因。 请测量高侧 MOSFET 的温度。  

- EL

我不太明白这一段的意思、"现在你的高侧 MOSFET 上有一些问题。 高侧 MOSFET 上存在8V 压降。 根据 HYG025N06LS1C2、压降应？20mV"。~μ V

MOS 管的模型参数不应该有太多的问题、对于此零件中 HO 和 LO 的 MOS 驱动管电路是否有其他修改建议？ 或者 MOS 管有建议的型号吗？   

我在89℃ 测量了 MOS 管的温度、可以持续工作很长时间、不是因为温度太高导致了 MOS 管烧毁。

还有振铃问题。 您尚未回复修改建议。 是否应在下图中更改电阻？

您所指的8V 压降是否指此部件中的高低电压？
它是否应该是两端水平是几乎正常的意义?

您好、任健  

请检查 SW 节点上的~ 8V 压降是否与您的计算相符。 MOSFET 的 Rdson 仅为2.1m Ω。  

我认为这是可以的、因为您使用具有+/-20V BVGS 的100V FET、并且 SW 节点上的振铃仅为~5V、但如果您想在 HO 和 Q4栅极之间添加1-5欧姆的栅极电阻、并检查是否有任何改进。  

- EL

在 HO 和 Q4栅极之间添加1-5欧姆栅极电阻不会显著改善振铃