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[参考译文] UCC25660：LCC 初级侧 MOS

admin
Guru**** 2516930 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC28180, UCC24624, UCC25600, UCC25660

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1439681/ucc25660-lcc-primary-side-mos

器件型号：UCC25660
主题中讨论的其他器件：UCC28180、 UCC24624、 UCC25600、

工具与软件：

HI ALL

我们目前正在设计一种1000W 交流/直流系统、采用 PFC UCC28180 + LLC UCC256604、无 HV 启动+ SR UCC24624配置。

Vout 的设计规格为40V/25A。

我们已经发现了一个问题、即在负载超过320W 的情况下、初级侧 MOS 的温度异常快速升高。 在大约一分钟内、其表面温度可达到100°C。

如果这种情况持续一段时间、温度可能会超过180°C、从而导致烧毁。

我怀疑这可能是由半桥电路中的击穿短路引起的、但我不确定如何解决该问题。

替换为更快的 FRFET MOSFET？ 我们应该重点关注哪些参数？ Ciss、Coss 还是 td (on)、td (off)？

修改设计、使 LLC 增益曲线更平坦(QE 值越高、ZCS？ZVS？)。连接设计 table.e2e.ti.com/.../UCC25660x_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_Rev1.8_5F00_Noah.xlsx

3、在现有的设计架构下(不修改变压器),在保持 LM 值不变的同时调整 Ln 和 QE 意味着只能调整 LR 值。 Lr 值是否可以等效表示为 LLK (漏电感)+ Lr (外部电感)？ 我不确定我的解释是否正确。

例如：LP=L2+  LLK (漏电感)= 10 + 12= 22uH。 附加的是电路 diagram.e2e.ti.com/.../sch_5F00_adp1000a_5F00_e20_5F00_20241118.pdf

谢谢

此致

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    TI__Guru**** 2516930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Noah、

    对于1000W 设计、我会使用采用 TO247的 MOSFET 或带有散热器的220封装。 这应该有助于降低 FET 的温升。

    对于您的设计、请使用计算器中的"分立电感器"选项。 并添加外部电感值与变压器漏电流值以代替漏电感。 Lm/LR 为 3至5应有助于实现 ZVS。 我认为您分享的电流增益曲线没有任何问题。  

    如果您有任何其他问题、请告诉我。

    此致

    Manikanta P

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    TI__Guru**** 2516930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨、 Manikanta  

    我对下图有一个问题、下图显示的曲线源自两个不同的 QE 值。 在 LLC 设计方面、较高或较低的 QE 值更好吗？ (曲线应该更陡还是更平缓？)

    对于 UCC25600、ISNS 是否提供 ZCS 区域保护？ 如果调整 RISNS、它是否会影响 ZCS 区域的保护？ 例如、错误地进入死区。

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    TI__Guru**** 2516930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Noah、

    有关建议的 Ln、Qe 值、请参阅随附的应用手册。

    设计 LLC 谐振半桥电源转换器文章

    [报价 userid="621387" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1439681/ucc25660-lcc-primary-side-mos/5525497 #5525497"]对于 UCC25600、ISNS 是否提供 ZCS 区域保护？ 如果调整 RISNS、它是否会影响 ZCS 区域的保护？ 例如、错误地进入死区。

    您能否确认您要求的是哪个控制器？ UCC256 60. 即 UCC256 00 ？

    此致

    Manikanta P

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    TI__Guru**** 2516930 points
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    嗨、 Manikanta

    抱歉、我是指 UCC25660。

    此外、我们还测量了 Q7和 Q9 (高/低侧 MOSFET)的波形、包括 HO、LO、H_VGS、L_VGS、H_VDS 如随附图所示。

    根据波形、是异常还是已经进入死区？

    您有什么改进建议吗？

    谢谢

    此致

    挪亚

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    TI__Guru**** 2516930 points
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    你好、Noah、

    在 UCC25660x 中、ISNS 引脚确实提供了进入 ZCS 区域的保护。 使 RISNS 过低将使 ISNS 幅度过低、并可能触发 ZCS。

    在其中一个波形中、看起来控制器在高频突发模式中运行。 除 MOSFET 发热之外、您还面临什么问题？  

    此致

    Manikanta P