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[参考译文] TPSI3050:设计为驱动耗尽型 MOSFET

Guru**** 2503365 points
Other Parts Discussed in Thread: TPSI3050

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1441808/tpsi3050-design-to-drive-depletion-mosfet

器件型号:TPSI3050

工具与软件:

我正在尝试使用 TPSI3050驱动耗尽型 MOSFET、而不是标准增强型 MOSFET。 我知道这可能不是芯片的预期用途、但我认为应该可行。 为了生成负电压、我已将 VDRV 连接到 MOSFET 的源极、将 VSS 连接到栅极(与您通常执行的操作相反)。 电路无法正常工作。 您希望此配置正常工作吗?

我遇到的另一个问题是、我错误地订购了  TPSI3050 、而不是 TPSI3050、因此我目前正在等待另一个部件到货、这将需要几天的时间。 但是、我尝试了对输入"驱动"施加脉冲、希望在 MOSFET 栅极中看到一些负电压脉冲、但我看不到任何东西。 正如预期的那样、VDDH 比 VSSS 高10.2V。

有任何帮助吗?

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    我刚刚意识到、脉冲非常短、与电容负载和相对较大的电阻器(100欧姆)一起阻止 MOSFET 完全导通/关断、但我可以看到栅极脉冲。 此时应根据 我正在等待的新器件 TPSI3050对其进行排序。 我想我们可以解决这个问题、如果新器件无法正常工作、我将重新打开。