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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1439598/lm5106-low-side-gate-induced-voltage
工具与软件：
您好！
我们使用 LM5106进行直流电机控制。
我们测量到、当 HS 栅极关断时、LS 栅极具有感应电压。 谢谢、请帮助告知我们如何在原理图中进行改进。
CH1：HS 门、CH2：LS 门、CH3：相位
通过增加栅极电阻 R80和 R83来减慢导通速度、可以降低低侧感应栅极电压。
添加电容器 C40和 C33还有助于降低 LS 感应电压。
请务必小心、因为这两种解决方案还会减慢开关速度。
使用具有高 Vth 和低 CGD/MOSFET 比的 Cgs 有助于防止错误导通。
当 Q20快速导通且 Q22 处于高 dV/dt 时、会导致 LS 感应电压。
谢谢！
Walter
Vgs 电容器和 栅极电阻是否推荐任何值？ 谢谢。
Vgs 电容器和栅极电阻在很大程度上取决于您的开关需求和 PCB 布局。 可能需要仅增加几欧姆和一个10nF 电容、但我建议尝试各种值来优化开关。
也可以使用钳位电路。
[常见问题解答] UCC21520：如何在上电期间防止功率 FET 误导通？
