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[参考译文] BQ25190:担心散热-可用的封装更大?

Guru**** 2419530 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25190

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1440415/bq25190-concerned-about-heat-dissipation---larger-package-available

器件型号:BQ25190

工具与软件:

你(们)好、

BQ25190将非常适合我们的设置(LiFePO4充电、3V3恒定、另一个3.3V、1.8V 和5V 可切换、I2C)。 我担心在满载和充电时的热耗散(我计算得出总功率约为1.3W)。  对于具有较大封装的类似产品、是否有可以满足我们需求的建议? 是否有计划在更大的封装中使用"BQ25190"?

谢谢!

Jörg μ A

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    尊敬的 Jorg:

    BQ25190目前在较大的封装中不可用。 散热可能是一个需要考虑的重要事项、但有许多设计指南、尤其是关于电路板布局布线的指南、这些指南可以非常有助于提高器件的热性能。

    您希望充电器和各种电源轨提供哪些输入电压、充电电流和负载电流? 您是否能够控制输入预期输入电压?

    此致、

    Juan Ospina

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    尊敬的 Juan:

    -输入:5V USB-C
    - 1节 LiFePO4电池,所需充电: 780mA (如有必要可降至500mA )
    - 3.3V 电压轨(常开): 70 -120mA (ESP32-S3)
    - 1.8V 电压轨(可切换): 3mA (可忽略不计)
    - 3.3V 电压轨(可切换): 4mA (可忽略不计)
    - 5V 电压轨 (可切换): 100mA

    较大的接地层、可能较厚的 铜和足够的接地过孔肯定会有所帮助。 或散热器。

    去吧?

    谢谢!

    Jörg μ A

     

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    您好、Jörg

    我将在实验室中使用我们的 EVM 尝试这些设置、从而 了解25°C 环境下的典型行为。 这样可以 了解在考虑类似电路板设计注意事项的情况下预计会看到的热耗散类型。

    较厚的铜孔和接地过孔肯定会提高性能。 如果可能、散热器也会有所帮助。

    此致、

    Juan Ospina

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    太好了! 我必须等待  BQ25190任何样片的可用性...

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    您好、 Jörg

    我能够使用这种设置捕获与 IC 相关的一些温度数据:

    VIN = 5V

    VBAT = 2.9V

    VBUCK = 1.8V IBUCK =无

    VLDO1 = 3.3V ILDO1 = 120 mA (电子负载)

    VLDO2 = 3.3V ILDO2 =无

    Vbubo = 5V IBUBO = 100mA (50 Ω)

    在21.8C 的环境温度下、我可以收集到使用 IC 和热像仪从 EVM 上捕获的峰值温度值。

    - ICHG = 100 mA、峰值温度33.8°C

    - ICHG = 250 mA、峰值温度41.8°C

    - ICHG = 500 mA、峰值温度55.4°C

    - ICHG = 780mA、峰值温度70.4°C (71°C 根据 ADC)。

    可 在 用户指南上查看 EVM 详细信息。 电路板为4层电路板、覆铜厚度为1oz (1.4mil)。

    此致、

    Juan Ospina

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    尊敬的 Juan:

    非常感谢、这肯定会起作用! 我已经从 Digikey 订购了 EVM 以及一些 BQ25190、因为它现已上市。 该芯片确实具有划时代意义、再次感谢它。

    谢谢、

    Jörg μ A