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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1433823/lm5143-lm5143-in-single-phase-for-j784s4
工具与软件：
您好、专家
我们希望根据建议的 PDN 对 J784S4使用 LM5143。 我们想使用单相 LM5143。
根据我们的曲线、功率要求为85W、即5V @ 17A。 另一个输出为12V @ 1.2A
这种配置是否可行？
此致
Raheesh
尊敬的 Raheesh：
5V/17A 和12V/1.2A 就可以了。 此处的最大输入电压是多少(因为这会设置 FET 额定电压、从而设置17A 时的功率损耗)？
您可能还需要对17A 使用单通道控制器(例如 LM5148)、对1.2A 电源轨(例如 LMR38015)使用转换器 IC。
此致、
TIM
您好、Timothy
感谢您的回答。 我有一个关于这一点的后续问题。
最大输入电压为36V。
1.单相工作电流为17A 时是否存在任何 EMI 问题？ 除了布局建议外、在布局中还需要特别注意什么？
2.我们的电感值为1.5uH、440KHz、工作电压范围为10V 到36V？ 这种行为合适吗？
您可以使用快速启动文件检查电感器值-目标为30-40%的纹波电流。 请看一下这款 EVM https://www.ti.com/tool/LM25137F-Q1-EVM5D3、它设置为5V 和3.3V OUT、每个20A、440kHz、1uH 电感器。
在布局方面、应为高侧 FET 漏极(VIN)提供足够的散热。 根据需要使用 EMI 滤波器(请参阅此 EVM 和 LM5143 EVM 作为参考)。
谢谢 Timothy
通常、所有应用手册都提到应使 SW 节点尽可能小。 此外、低侧 MOSFET 漏极连接到 SW 节点、我们在整个层提供过孔、以防止温度升高、并连接到散热器。 这种情况下、SW 节点的面积会更大。
如何在 SW 节点面积和热性能之间实现平衡。
在 SW 节点上安装过孔不是好主意、因为这意味着高 dv/dt 节点也会出现在 PCB 的另一侧。 最好为高侧 FET 漏极添加通孔、并让电感器为低侧 FET 散热。 请参阅数据表中的布局指南、并参阅 LM5143 EVM 布局。
——
你好、Timothy
在查看布局建议时、有一条关于将 AGND 和 PGND 接地平面分离的备注。 然而、从 LM5143的角度来看、AGND 位于 IC 的南部、PGND 位于 IC 的北部。 它如何帮助实现独立的 AGND 和 PGND 接地平面。 PGND 的电流环路没有靠近 AGND 引脚的位置。
谢谢
我们有一个 AGND 岛、可以使其不传导高频电源电流。 这是最佳布局实践、有助于减少模拟电路中的噪声和接地反弹。
