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器件型号：BQ76920 工具与软件：
我是否可以将 REGSRC 引脚上的电容器和 VSS 视为启用 FET 的自举电容器？ 现在、我看到 REGSRC 到 VSS 之间的电容为1uF 和4.7uF。 目前、我的设计有10个并联的 CFETS 和10个并联的 DFET (并非全部在随附的图像中显示)。 CFETS 由建议的 PFET 电路驱动、而 DFET 由外部驱动器驱动。 使用的 FET 的 Qg 为81nC。 因此、CHG 和 DCHG 的总栅极电荷为810nC、总共为1620nC。
我知道通常情况下、用于驱动 Qg 的电荷源应该至少比总 FET 大10倍。
- 我是否应该增加 REGSRC 到 VSS 之间的电容器来解决组合栅极电容？
- 我是否需要考虑组合(CFET 和 DFET)栅极电容、或者由于 DCHG FET 是从外部驱动的、因此我只需要关注 CHG FET 的总栅极电容。
- 为了改进下面所示的 FET 电路、我还可以做些什么吗？
