[参考译文] BQ76952：低电压放电时的 Mos 开路问题

此类型属于相同的充电和放电端口类型、其特点是通过 N-Mos 的串联连接在两个方向控制电流、由 AFE：TI BQ76952控制。 其结构简化如图1所示。

对于串联 Mos 结构、我们已启用 AFE 芯片的体二极管保护功能、如图2所示。 设置：保护：针对该缺陷产品设置的体二极管阈值为50mA、这意味着当 AFE 芯片在欠压期间检测到充电电流大于50mA 时、它将打开放电 MOS。 对于该有缺陷的产品、在使用50mA 设置值时、发现电池欠压、放电 MOS 间歇性打开。 当修改设置参数并将阈值增加到500mA 时、这种现象仍然存在。 当功能关闭或设置值增加到800mA 或更高时、现象消失。 因此、可以确定该功能在欠压后放电 Mos 的间歇性打开是由该功能引起的。
进一步验证表明、AFE 芯片与当前采样滤波器相关器件之间的焊接是正常牢固的、测试导率是正常的。 排除了虚拟焊接和错误焊接导致的 AFE 芯片异常采样的可能性。 焊接情况如图3和图4所示。 取出有缺陷的 AFE 芯片并更换为正常 BMS 以重现问题。 将新的 AFE 芯片更换为有缺陷的 BMS、此现象消失。 由此可确定该缺陷是由 AFE 芯片故障引起的。

根据 AFE 芯片手册、其库仑计的最大 INL 误差为22.3LSB。 该版本的采样电阻为1m Ω、22.3 LSB 对应于169.48mA。 根据前面的测试、这种现象在达到500mA 阈值时仍然存在、表示 AFE 芯片已超过了最大误差值。 但在正常条件下、电流精度测试合格、电流采样准确。 由于电流报告中的库仑计由 AFE 芯片进行滤波、因此推测出其错误的电流信息是一个峰值、在传统测试中无法通过电流精度检测进行检测。 AFE 芯片内部异常的原因已超出我们的能力、我们正在请求原 TI 工厂对其进行分析

尊敬的 Alexis：

客户激活了芯片的体二极管保护功能、出现故障时电池没有充电。 AFE IIC 通信未读取充电电流。 因此、根据芯片手册中的说明、他们认为放电 Mos 不应打开。

在充电期间、欠压保护将激活放电 MOS。 这符合体二极管的预期保护功能。 但故障发生时没有充电、因此客户认为这不符合功能的预期。

您好、Vayne、

您能否在发生这种情况时分享一些波形以及您的配置文件(.gg)文件？

此致、
Alexis

您好、Alex、

附件是什么。 GG 文件和波形、其中 CH1为采样电阻两端的波形、CH2为 DSG 处的波形。 捕获三次波形、每个放电 Mos 具有不同的打开时间。 在测试过程中、电池已经受到欠压保护、并且没有充电或放电电流。 由于示波器中存在底部噪声、电阻器两端的波形可能不够清晰。

请复查它、

谢谢 you.e2e.ti.com/.../1374.BQ76952.gg.csv

您好、Vayne、

感谢您分享这些波形和您的.gg 文件。 请给我一些时间一起回顾一下。

此致、
Alexis

尊敬的 Alexis：

感谢您的答复。 我需要与客户确认他们是否可以分享原理图。

您好、Vayne、

感谢您让我知道。 我将在一周的剩余时间,直到下星期一感恩节假期。  

此致、
Alexis