工具与软件:
我一直在对一些电池进行充电测试、对充电周期开始时发生的情况感到有点困惑。 充电器 IC 的温度刚开始就会变得很热、我也不知道一段时间后是什么导致了 IBAT 电流下降。 在此周期中、我将 ICHG 设置为2980mA、并关闭外部电流限制。 我们希望您能够了解一下是什么原因导致充电周期开始时出现这种行为。
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我一直在对一些电池进行充电测试、对充电周期开始时发生的情况感到有点困惑。 充电器 IC 的温度刚开始就会变得很热、我也不知道一段时间后是什么导致了 IBAT 电流下降。 在此周期中、我将 ICHG 设置为2980mA、并关闭外部电流限制。 我们希望您能够了解一下是什么原因导致充电周期开始时出现这种行为。
尊敬的 Ethan:
感谢您通过 E2E 联系我们。 请查看我的以下评论。
首先、您测试中的 VSYSMIN 设置是多少? 您是否已将其从3.52V 的默认值更改为其他值?
假设 VSYSMIN 设置为您测试中的默认值/接近默认值、充电周期开始时 IC 温度的升高可能源于器件架构以及它如何在保持 SYS > VSYSMIN 的同时为电量耗尽的电池充电。 有关 BATFET 运行的详细信息、请参阅数据表第24页的第8.3.4.1节。
当 VBAT < VSYSMIN 时、BATFET 在 LDO 模式下运行、而当 VBAT > VSYSMIN 时、BATFET 完全开启。 在 LDO 模式下、BATFET 调节电池的充电电流。 充电电流设置为接近3A 时、会有大量通过 LDO 散发的功率损耗。 BATFET 切换到完全导通运行后、充电电流通过降压转换器进行调节、BATFET 上没有那么大的功率损耗、IC 也不会产生太大的热量。
所提供的图似乎与该理论相符、因为一旦 VBAT 增加到约3.5V 以上、TDIE 就会下降。
此致、
Garrett