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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1443460/ucc27614-mosfet-driver
工具与软件：
VM 电压为48V。 VCC 电压为8V 100mA。 8V 100mA 是否会阻止 MOSFET 驱动器驱动 MOSFET？
除此之外、您是否在原理图中看到过任何问题？
谢谢。
嗨、
感谢您就您关于 UCC27614的问题联系 TI。
查看原理图、一切似乎都顺利。 我建议在布局中将 RC 滤波器放在输入端、并将 C43和 C29旁路电容器放置在靠近栅极驱动器的位置。
您选择的 Si MOSFET 在10V Vgs 下的表现更高效。 因此、具有8V 的 VDD 会牺牲一些效率。 12V 的 VDD 更为典型、有助于提高这种效率。
如有任何问题、请告诉我。
谢谢！
William Moore
我们要混淆的一点是、8V 电源只能提供120mA。
UCC27614数据表中指出、即使在峰值(4ns)时、也必须为 MOSFET 栅极提供8A 或10A 电流。
120mA 是否可以防止这种情况发生？
谢谢...
8V 和120mA 的电源足以满足要求、因为栅极驱动器的10A 峰值输出电流是拉出/灌入电流以导通/关断 FET 的峰值。 这由本地 VDD 旁路电容器提供、8V/ADC 120mA 电源会重新充电并帮助提供该电流。
有关在 VDD 上选择该旁路电容的指导、请参阅第9节"电源建议"。
