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[参考译文] TPS2HCS10-Q1:TPS2HCS10-Q1 - SPI_ERR 位在04h 中报告

Guru**** 2553450 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1427375/tps2hcs10-q1-tps2hcs10-q1---spi_err-bit-is-set-is-reported-in-04h

器件型号:TPS2HCS10-Q1

工具与软件:

在正常 SPI 传输期间、观察到04h 响应中设置的 SPI_ERR 位、  

您能不能帮助说明可能的原因、不使用 CRC 位启用。 此外、不受支持的位报告为"1"是此预期波形

时间[s] 数据包 ID 主站输入 MISO
1.04501075 521. 0B0000 00FD93
1.045030938 522. 870000 01FB21
1.045049063 523 040000 01FFFF
1.045066938 524. 040000 010110
1.05500475 525. 0B0000 000000
1.055022563 526. 0B0000 00FD93
1.055042813 527 870000 00FD92
1.055060938 528. 040000 00FFFC
1.055078813 529. 040000 000000
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    尊敬的 Krishna:

    您能否在此连接逻辑分析仪或示波器波形? 如何切换 CS 引脚-可能在帧结束之前已将其置为高电平?

    而且、重现性如何? 该错误是在读取寄存器 B 后发生的、还是以特定的数据包编号发生的、或者是否有任何其他模式?

    谢谢!

    Patrick

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    嗯、当我激活 CH1输出时、我只看到这个问题一次  

    工作台上的电池电压设置为12.0V、当我激活输出(CH1)时、读数骤降1.5伏、这是预期结果 。另请注意、CH1连接10 Ω 负载、消耗约1A 电流

    如何配置芯片以读取通道电流、现在我执行了以下序列、而不是读取电流。

    开始10ms

        //读取 ABIST 结果

       u32AbistResult = Tp2HcsRead (ABIST_Result);

       u32AbistResult = Tp2HcsRead (ABIST_Result);

       //加电时清空04h 寄存器

       u32GblFltState = Tp2HcsRead (CH_FLT_TYPE_FAULT_GLOBAL_TYPE);

       u32GblFltState = Tp2HcsRead (CH_FLT_TYPE_FAULT_GLOBAL_TYPE);

       

    第二个10ms

      //启用 VBB 和 ADC I 检测转换

       ( 空洞 ) Tp2HcsWrite (ADC_CONFIG、0x0018u);

     

       //配置以启用 ADC 功能

       ( 空洞 ) Tp2HcsWrite (device_SAF、0x0001u);

     

       //启用所有故障。

       ( 空洞 ) Tp2HcsWrite (FAULT_MASK_STATE、0x0000u);

     

       // ch1特定初始化

       ( 空洞 ) Tp2HcsWrite (PWM_CH1        、0x0000u);

       ( 空洞 ) Tp2HcsWrite (ILIM_CONFIG_CH1、0x1638u);

       ( 空洞 ) Tp2HcsWrite (DIAG_CONFIG_CH1、0x4002u);

       ( 空洞 ) Tp2HcsWrite (I2T_CONFIG_CH1 、0x0000u);

    第三个10毫秒以后、

    //读取 VBB 电压
    u32AdcRaw = Tps2HcsRead (ADC_Result_VBB);
    u32AdcRaw = Tps2HcsRead (ADC_Result_VBB);

    //写入芯片以打开/关闭输出
    (void) Tps2HcsWrite (SW_STATE、u16SpiChannelOp);

    //读取用户专用寄存器
    u32GblFltState = Tps2HcsRead (CH_FLT_TYPE_FAULT_GLOBAL_TYPE);

    //读取 CH1故障
    u32GblFltState = Tps2HcsRead (FLT_STAT_CH1);
    u32CH1FltState = Tps2HcsRead (ADC_Result_CH1_I);
    u32CH1Current = Tps2HcsRead (ADC_Result_CH1_I);

    //读取 CH2故障
    u32CH2FltState = Tps2HcsRead (FLT_STAT_CH2);
    u32CH2FltState = Tps2HcsRead (ADC_Result_CH2_I);
    u32CH2Current = Tps2HcsRead (ADC_Result_CH2_I);

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    Patrick、您好!

    请告诉我有关请求的任何更新。

    谢谢!

    Krishna

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    尊敬的 Krishna:

    当读取 VBB 和 ISNS 寄存器时、位10 (RDY_CHx)是否为高电平?

    谢谢!

    Patrick

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    是的、我在转换该位之前对其进行了检查。

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    尊敬的 Krishna:

    您是否可以尝试将 ILIM_CONFIG_CH1寄存器设置为0x0638或0x2638? dV/dt 电容器充电模式不受支持、它可能会在浪涌期间引起问题。

    您在 ADC_i 寄存器中得到什么- 0x0000? 而且对于所有后续读取(尤其是在浪涌周期之后)是否都是相同的?

    谢谢!

    Patrick

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    现在、我使用的是 EVM 板、将 KORAD 可编程负载连接到输出、

    在12.3伏电源(连接了2个欧姆电阻器)的情况下、能够 稳定地将 ADC_I 电流读取为5.3A。

    ADC_V 电压为11.7V。

     

    我能够检测 OPN、STB 条件、