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器件型号：LMG1210 工具与软件：
嗨、团队：
附加了电路图和波形。
第一个波形是死区时间调整为最小值的波形。
第二个波形显示了最大死区时间。
即使我们仅移动高侧 FAT 的下降沿、低侧 FET 的上升沿也会随之移动。
是否有任何可能的原因或对策？
我尝试过以下操作、但没有改变。
(1)更改缓冲电路常量(添加了10Ω 和470pF 以实现噪声抑制)
(2)添加栅极电阻器
(3)在浇口线上添加下拉
(4)自举电容器常数更改
(5)在栅极线路中添加电容器(以延迟低侧 FET 的上升)
(6)加强 GND (接地连接)
此致、
柳。
