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[参考译文] UCC25600:轻负载问题

Guru**** 2381780 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC25600
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1445737/ucc25600-issue-with-light-loads

器件型号:UCC25600

工具与软件:

尊敬的团队:

我要设计一款采用 UCC25600的 HB- LLC 转换器、其输入电压为665VDC、LLC 输出电压为30VDC 和8A。

我选择了 Lm=612uH、LR=120uH 和 Cr=16.5nF。

我已经测试了满载条件下的电路、它在 CC-CV 环路中也能正常工作。

但我面临的问题是在较低的负载下、即在低于10W 的负载下、IC 进入突发模式、开关频率为350kHz、并且 MOSFET 发热并熔断。

我已经尝试过了

1) 1)增加 MOSFET 的栅极导通电阻器、但得到相同的结果。

2)降低 Lm/Lr 比,结果相同。

您能为该问题提供一些解决方案吗?

此致、

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    您好、Dilip:

    将 LL 引脚电压调整到更高的值、以增加转换器进入突发模式的最小功率。 将 VLA-VLLB 调整为较高的值、以实现较高的 HF 突发进入值。 请参阅数据表中的第7.5.3.3节和第7.5.3.2节。

    此致
    Hemanth

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    Hemanth、您好!

    该 IC UCC25600没有 LL 引脚。 引脚分配连接在下面。

    有没有方法可以在这个 IC 中对此进行控制?

    此致、

    Dilip

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    您好、Dilip:


    抱歉、我读错了器件型号。

    如果 MOSFET 在极轻负载或空载条件下损坏、可能是反向恢复或 dv/dt 造成的。

    在这种情况下、降低反向恢复可能会有所帮助。 这是通过减慢 MOSFET 的导通速度(就像您所做的那样)来实现的。 测量 VGS 以查找任何接地反弹(当另一个 FET 导通时 VGS 上升)。 如果存在任何接地反弹、请尝试减小关断电阻(如果有)。

    尝试使用具有较低 Ln 的分裂电容器。 除此之外、选择 具有低反向恢复的 FET 应该会有所帮助。

    此致
    Hemanth