工具与软件:


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工具与软件:
嗨、
感谢您向 TI 提出有关 UCC27537的问题。
关于原理图、我有几项建议。
1.我们建议在靠近栅极驱动器的输入引脚上放置一个 RC 滤波器。 元件的典型范围为0-100欧姆和10-100pF。 这将有助于降低从 MCU 输入端看到的噪声。
2.对于输出端的纹波、这在很大程度上是输入端的噪声结果、因为驱动器由于输入噪声而接收混合信号。
3.请确保 C408尽可能靠近驱动器放置。 您还可以在驱动器旁边与 C408并联100nF、以实现瞬态响应。
4.调整栅极电阻 R402也会通过限制输出电流来影响输出的上升沿和下降沿。
5.对于 EN 使能、也可以将其连接到18V 电源轨。
6.布局对于噪声也很重要。 到 MOSFET 的栅极驱动路径应尽可能短并具有较宽的布线。 VDD 和 GND 等高电流路径也应具有宽引线。
如果还有其他问题、请告诉我。
谢谢!
William Moore
您好!
我希望你做得好。
感谢您的关注、您很好。
实际上、我们发现 MIC5020YM 的上升时间约为1us、 UCC27537DBVR 的上升时间 约为100ns。
因此 MIC5020的速度逐渐变慢、这使 EMC 变得更好。
此电路中的 MOSFET 为 BSC123N08。
我更改了中的 Rgate 10. Ω Ω 至511Ω。 使用近场探头时、辐射降低得多、MOSFET 的 P 散 热= 1.4W、PCB 的工作时间超过3小时、而 MOSFET 根本不是很热。 今天、PCB 将由 GTEM 单元进行测试、我将在我的办公室使用 Picolog 工具进行测试、获得温度图、以证明 MOSFET 不会被烧坏。
你有什么其他建议吗?
好的、
嗨、
感谢您的更新、很高兴听到他们找到了栅极电阻增加的解决方案。
在我的先前注释中添加了注释、如果 EN 在 VDD > 15V 时直接连接到 VDD、则应添加一个150 Ω 串联电阻器。
必须限制上升/下降时间的另一种选择是添加栅源极电容(Cgs)、然后可以减小 Rgate 一些。 因此、可以通过 Cgs 和 Rgate 的组合来缩短上升时间以匹配较低电流驱动器。
如果还有其他问题、请告诉我。
谢谢!
William Moore
William、您好!
感谢所有的支持。
实际上,没有他们,我可以用你的建议解决它. 此外、使用新电阻器时、P 耗散仅为1.4W、MOSFET 温度为33℃。
我现在计划对 PCB 进行一些修改、以实现更好的 EMC 结果。 我观察到71MHz 处出现峰值、并在使用近场探头进行进一步检查后、检测到保护二极管 D400 (STPS10M60SF)上存在辐射。 此外、使用示波器进行的电压测量表明在上升时间内出现振荡。
下面的原理图显示了 D400、我在71MHz 处有一些辐射。
下面的屏幕截图显示了 D400 (正好是电机)的上升时间、其中显示了一些小的振荡。
您现在是否建议我为二极管添加缓冲器? 还是更改二极管类型? 因为我认为增加栅极电阻器不再有意义:)
此致、
哈尼