This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1448119/lm5148-use-with-gan-device
工具与软件：
大家好、我想知道我是否使用 LM5148、因为它可以驱动最大 Vgs 为5.5V 的 GaN 晶体管。 如果可能的话、我应该小心些什么？ 我当时正在考虑创建一个48V 至20V 的2.2MHz 降压转换器。
您好、Godziller
由于 LM5148可调节 VCC 电压(该电压是低侧 MOSFET 驱动器 的源极)、因此可以很好地调节最大 V (LO-GND)电压。 但是、 当 SW 节点负尖峰大于一个二极管压降时、作为高侧 MOSFET 源极的 V (CBOOT-SW)可能会大于 V (VCC - GND)。 请优化 PCB 布局以最大限度地减少负尖峰。
- EL
感谢您的回复、您建议使用齐纳二极管或类似的器件来钳制电压吗？
您好、 Godziller
我相信可以通过将齐纳二极管与自举电容器并联来更大限度地降低风险。
还有一点、这是我的布局、足够好、可以最大程度地减少负电压尖峰？ 我还将添加齐纳二极管。
我忘记了您将使用 GaN FET 了。 由于 GaN 没有体二极管、因此负尖峰量将主要由 GaN FET 的 VSD 规格决定。 这意味着您需要一个齐纳二极管。
-El
感谢您的答复、布局是否良好？
我不客气、但建议参考并遵循 GaN 制造商的布局指南。 请访问 https://epc-co.com/epc/design-support/gan-first-time-right/schematic-and-layout
非常感谢。
感谢您选择 TI。 如有任何疑问、请随时与我们联系。 - EL
GoodMorning、还有一点、在我们设计中、SW 走线会位于顶部 GaN 栅极电阻器下方、这是否会成为问题？
我认为您可以遵循制造商的指南 https://epc-co.com/epc/design-support/gan-first-time-right/schematic-and-layout
