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[参考译文] BQ76952:低侧控制 NMOS

Guru**** 1959305 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ76952, UCC27524
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1450513/bq76952-low-side-control-nmos

器件型号:BQ76952
主题中讨论的其他器件: UCC27524

工具与软件:

尊敬的专家:

使用 BQ76952+UCC27524控制低侧充电和放电 NMOS 时、我们遇到了一些问题。 我们希望您能帮助我们找到原因
1.当 MCU 发出单个关断充电 MOS 的命令后、放电 MOS 也会关断一段时间、从大约10ms 到200ms、放电 MOS 回到导通状态前;同样、当放电 MOS 单独关断时、充电 MOS 也会关断一段时间。 这可能是什么原因


2.放电时调整 MOS 栅极电平控制限流电阻 R145的电阻、把 MOS 关断时间控制在100us 左右。 当放电电流较高(200A 左右)时、MCU 发送关闭放电 MOS 的命令、这可能会导致重复关断。 在电流较大的情况下、不会发生一级放电过流警报、放电 MOS 也会反复关断

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    您好、Collin、

    1) 1)您是否介意为您所述的第一个事件展示 DSG FET 的电压和电流波形以及 CHG FET? 这听起来可能就是充当体二极管保护。 第5.2.3.1节 FET 配置 BQ76952技术参考手册 中提供了该过程。 体二极管阈值的默认值为50mA、详细信息请参见 第13.3.3.11节"设置:保护:体二极管阈值" 找到这些文档。

    2)对于您所描述的第二个事件、您是否介意共享您的配置文件(.gg)?

    此致、
    Alexis

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    尊敬的 Alexis:

    感谢您的答复。 对于第二个事件、配置文件如下所示、请参考它、谢谢

    e2e.ti.com/.../Bms_5F00_OTP_5F00_rc1_5F00_20241014.gg.csv

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    尊敬的 Chen:

    这是该器件的一种已知行为:

    要在 DCHG 和 DDSG 模式下使用 DCHG 和 DDSG 时单独关断 FET、需要使用 DFETOFF 和 CFETOFF 引脚来实现 DFETOFF 和 CFETOFF 功能。

    此致、

    Max Verboncoeur

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