[参考译文] BQ25616：发热问题

尊敬的 Ryker：

发生这种情况的充电电流和电池电压是多少？ 如果器件的电池电压低于 MINSYS、则 BATFET 将在 LDO 模式下运行、这种模式会产生更高的功率损耗。

其次、GND 路径没拼接得很好。 散热焊盘底部平面只有4个散热过孔。 在我们的 EVM 上、有9层、大多数底层是 GND 平面。 此外、GND 引脚本身不接至顶层。 在我们的 EVM 上、我们将其引出并将其灌入底层。 最后、SYS 和 BAT 电容器有一个较小的过孔进入 GND 平面、需要通过一条非常窄的布线围绕电路板的边缘进行连接。 请改善 GND 平面连接。

此致、

Mike Emanuel