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您好、Allan:
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1.在 Vin NET 中添加一个0402 0.1uF 电容器、使其靠近降压侧环路。
MOSFET 的最小振幅大于4V、过于接近 VCC 电压。 存在 MOSFET 未完全导通的风险。 建议更改 MOSFET。 150V VDS 额定电压太大。
C107和 C114的电压范围太大。 50V 就足够了。
4.建议将 R251更改为49.9K。 使用4.7uH 电感器。 16V Isat 就足够了。
建议在输出电压侧添加一个0.1iuF 0402电容器、并将其靠近 IC。 一个330uF 电容器就足够了。 建议删除 CE5. 您是否能够提供用于环路计算的器件型号 C54-C58和 CE4?
R250应大于20k Ω。
建议将 R249更改为28.7k Ω、以设置11.5A 平均电流限制。
8.按照 guideline.e2e.ti.com/.../TPS55288-Layout-Guideline.pdf 布局进行操作
此致、
Mulin