[参考译文] LM5190-Q1：CC-CV 稳压器设计

您好、Ashenafi

VOUT 不能高于 VIN、因为 LM5190是降压控制器。 请考虑使用 LM5177 https://www.ti.com/product/LM5177

如果您对此 LM5177器件有疑问、请创建新帖子。 谢谢

- EL  

您好 EricLee、

如果 VIN 介于52V 和57V 之间、而 VOUT 在10A 输出下为48V、该怎么办？ 它能够正常工作吗？

好的、我将创建另一个帖子、感谢您的帮助。

您好、Ericlee、

请观看此对话。
LM5177：使用 LM5177进行 CC-CV 稳压器设计并申请 Spice 模型-电源管理论坛-电源管理- TI E2E 支持论坛
来自 LM5177团队的 Stefan 建议我使用 LM5190-Q1。 "你说什么?

您好、Ashenafi

我推荐 LM5177是因为我在文章中的最低 VIN 小于 VOUT 调节目标。  Stefan 建议使用 LM5190、因为您会在 Stefan 帖子中将最小 VIN 从43V 更改为52V。 有道理。  

LM5190可以支持52V 至48V 降压转换、但总功率约为480W (这非常大)、因此您应该仔细设计系统、使其能够处理~ 12W 至24W 的功率损耗(480W 的2.5%- 5%)。 请考虑将散热器与风扇配合使用。  

- EL  

您好 EricLee、

我明白了。

由于电路中要使用外部 MOSFET、电源与  LM5190 控制器无关、所以您推荐使用带风扇的散热器作为外部开关 MOSFET。

您好、 Ashenafi

是的、我之前主要讲的是 MOSFET。  如果频率较高或 CGS 较大、则控制器温度可超过最高工作温度。 请使用快速入门计算器 https://www.ti.com/tool/download/LM25190-LM5190-DESIGN-CALC 并检查估算的控制器温度。   

- EL

您好 EricLee、

请查看我通过私人消息发送给您的快速入门计算器文档。

您好、 Ashenafi

请你给我发个短信。 zip 文件?  

- EL

尊敬的 EricLee：

我现在就把它发给你。

您好、 Ashenafi

HS MOSFET 功率损耗为11W。 通常、需要使用特殊的冷却方法来覆盖如此多的热能。 请降低开关频率并选择一个更好的 MOSFET、并考虑使用两个并联的 MOSFET。  

您计划如何解决11W 功率损耗？  一个优点是您的 TAMB 只有25°C。 您是否计划使用水冷？  

- EL

您好 EricLee、

好的、我明白了。

如有必要、我只打算使用一个散热器、以及两个或三个并联的 MOSFET。
例如、当我将开关频率降低到400kHz 时、增益裕度降至15dB 以下-8.9dB。 因此、我将频率提高以获得高于15dB 的增益。
如何补偿增益裕度？ 如果您能帮助我修改设计计算器工具上的值、我们将不胜感激。

您好、 Ashenafi

请向我发送显示8.9dB 增益裕量的 Excel 计算器文件。 我可以将修改后的 Excel 文件发回给您。

- EL  

您好 EricLee、

我通过私人消息将其发送给您。 我将等待您的回复。

您好、 Ashenafi

我想我不需要发送更新后的 Excel 文件。 请将功率电感值更改为4.7uF。  

GM 不够、是因为增益在开关频率的一半处达到峰值(请参阅 https://ridleyengineering.com/images/pdf-design_center/5-current-mode-control-modeling.pdf 中的图5) 、并且您可以积极选择交叉频率。   

通过使用较大的电感电感器、可以减少 FSW/2处的增益峰值。   

- EL

您好 EricLee、

我将值更改为4.7uH、将交叉频率更改为28KHz、但得到的是12.2dB、不大于15dB。
似乎我无法再修复它、因此请调整 Excel 以满足我的要求并将文件发送给我。 谢谢。

好的、我看一下。 再次感谢您的支持。

您好 EricLee、

好的、我会这样做。 感谢您让我知道。