主题中讨论的其他器件: LMG1205、
工具与软件:
大家好!
我们有一个以1 MHz 为中心的 E 类10W 功率放大器设计。 (晶体管:EPC2012C GaN) LM5113用作该电路中的 GaN 驱动器。
根据下面给出的仿真、峰值电流(晶体管源极电流)达到大约3A、并在晶体管导通时降低大约1.5A。
您能否分享一下 LM5113在没有任何损坏的情况下可承受的最大电流是多少?
此致、
Mehmet
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
工具与软件:
大家好!
我们有一个以1 MHz 为中心的 E 类10W 功率放大器设计。 (晶体管:EPC2012C GaN) LM5113用作该电路中的 GaN 驱动器。
根据下面给出的仿真、峰值电流(晶体管源极电流)达到大约3A、并在晶体管导通时降低大约1.5A。
您能否分享一下 LM5113在没有任何损坏的情况下可承受的最大电流是多少?
此致、
Mehmet
嗨、Mehmet、
感谢您就您有关 LM5113的问题联系 TI。
目前不推荐在新设计中采用 LM5113。 LM5113-Q1和 LMG1205是新设计应考虑的替代产品。
FET 的漏源电流不会对栅极驱动器产生直接影响。 栅极驱动器仅确定用于导通和关断晶体管的栅源电压。 因此、流经晶体管的电流不会损坏栅极驱动器。
如果还有其他问题、请告诉我。
谢谢!
William Moore
嗨、Mehmet、
此峰值电流额定值是驱动栅极的驱动器输出电流。 由于 FET 类似于容性负载、因此开启 FET 是对电容充电的电流。 以下是与峰值驱动器电流相关的应用手册。
如果还有其他问题、请告诉我。
谢谢!
William Moore