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[参考译文] BQ25792:关于发热问题

Guru**** 2386600 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25792, BQ24179, BQ25792EVM, BQ25790EVM
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1454620/bq25792-regarding-heat-issue

器件型号:BQ25792
主题中讨论的其他器件: BQ24179、、 BQ25790EVM

工具与软件:

尊敬的 TI 支持团队:

我当前使用的是 BQ25792电池充电器 IC 但我正在考虑切换到 BQ24179 设计复杂性、因此系统设计效率得到了提高。 我希望根据您的指导确定 BQ24179是否适合我的应用。

应用程序详细信息:

  • 电池配置 :[ 4节锂离子电池组]
  • 输入电压范围 :[16V]
  • 充电电流 :[ 2A]
  • 输出电压 :[16.8对于4S]
  • 主要用例 :[工业设备]

考虑更换产品的原因:

  1. BQ25792进行散热 : BQ25792在我的设计中会产生大量热量,尤其是在 2A 电流和正常1A 工作条件下充电电池时。

问题:

  1. BQ24179 更适合具有[描述电池和充电设置]的应用?
  2. BQ24179的热性能与 BQ25792相比如何、尤其是在较高输入电压和 2A 充电条件下?
  3. 从降压/升压(BQ25792)架构切换到仅降压(BQ24179)架构时、我是否需要考虑进行权衡?

对于您可以就 BQ24179在我的应用中的适用性提供的任何见解或建议、我们将不胜感激。

感谢您的支持、我期待您的答复。

此致、

Kapilan S.

硬件设计工程师  
kapilan.s@mistralsolutions.com

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    尊敬的 Kapilan:

    WSCP 和 QFN 封装之间的热性能非常相似。  可通过以下方式实现出色的热性能:

    1.使用750kHz 和2.2uH 电感器

    2.在内部或相反的层上使用冗余的多过孔连接 VIN、PMID、GND、SYS 和 BAT 布线/平面、以帮助降低功耗。

    请遵循适用于 WCSP 的 BQ25790EVM 和适用于 QFN 的 BQ25792EVM 的 PCB 布局。  PMID 和 SYS 的0.1uF 电容器和至少1个10uF 电容器必须与 IC 放置在同一层并尽可能靠近 PMID 的同一层、没有尽可能多的过孔。  这需要 SWx 布线连接到过孔并向下(或向下)回到电感器。  

    此致、

    Jeff  

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    尊敬的 TI 团队:

    感谢您的答复。

    我正在解决热问题、对功率耗散有另一个疑问。

    主题:如何计算 BQ25792 IC 中的功耗?

    在与 BQ25792电池充电器 IC 配合使用时、我需要帮助计算器件的功耗。 我知道功率耗散将取决于输入电压、输出电压、充电电流和效率等因素、但我不确定如何针对此特定 IC 进行计算。

    有人可以提供有关如何计算 BQ25792在典型应用中的总功率耗散的指导吗? 此外、我是否需要注意任何关键参数、例如开关稳压器的特定损耗、内部电阻或此 IC 中的其他功率损耗来源?

    问题:

    1. 如何在未使用电池的情况下连接电池充电器时计算功率耗散?

    2. 如何在连接电池和充电器后计算功率损耗?

    谢谢!

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    尊敬的 Kaplian:

    效率= Pout/引脚和 Ploss =引脚- Pout。    

    如果电池电压< MINSYS、POUT = VMINSYSxISYS +(VMINSYS-VBAT) xICHG。

    如果电池电压> MINSYS、则 Pout = VBATx (ISYS+IBAT)。

    数据表具有电池电压> MINSYS 和一系列 ICHG+ISYS 电流时的效率曲线。  

    计算 Ploss 后、就可以得到数据表热信息来估算出高于环境温度的温升:

     http://www.ti.com/lit/SPRA953上的链接 说明了如何使用上述指标。

    此致、

    Jeff