[参考译文] BQ77915：负载电流不是随着电流电阻器的更改而增加

您好、Jaya、

电流检测电阻听起来过高。 您提到了三个并联的1m Ω 电阻器、即~0.333m Ω。 如果您需要 BQ7791506进行400A 以上的放电、则需要 50mV/400A = 0.125m Ω 的最大电阻。

您还必须考虑保护的容差：

因此、对于 OCD1、本例中的保护为50mV +/-10mV。 您需要选择电流电阻来加以考虑。

此致、

Luis Hernandez Salomon

尊敬的 Luis：

感谢您的答复和建议。 但是、为什么放电电流会随着放电栅极电阻值从10K 增加到47k 或更高而增加？ 您能解释一下吗？

谢谢！

Jaya Prasad

尊敬的 Luis：

请检查充放电中的栅极电阻值、并且我的 MOSFET Qg 为235nC。 还请给出栅极电阻器的正确计算值。

谢谢！

Jay

您好、Jaya、

栅极电阻器的典型值远低于该值。 5k Ω 应该可以。  

更改栅极电阻器只会真正影响 MOSFET 的导通/关断。 MOSFET 本身是允许电流流动的、BQ77915不会影响电流流动、只会打开或关闭 MOSFET。

此致、

Luis Hernandez Salomon

您好、Jaya、

我不认为235nC 会导致这个问题。 通常、这会导致 FET 的开关速度变慢、但它仍应驱动到接近的电平。 对于您的情况、DSG/CHG 引脚上看到的相对于 VSS 的电压是多少？

如果需要、可以使用栅极驱动器、但我认为没有必要这样做。 我们已 在其他器件中将 UCC27524DR 用于低侧 FET 驱动器。

此致、

Luis Hernandez Salomon

尊敬的 Luis：

感谢您的回复、我已观察到与 DSG/CHG 引脚上的 VSS 相关的电压为12V。 因此、请建议栅极电阻器以400A 的电流驱动、并且已经使用0.12mohms 的电流电阻器、但放电电流不会随着电流电阻器的减小而增加。 它只是随着栅极电阻器的增大而增加。 这意味着开关速度较慢、MOSFET 将在故障情况下发生故障。 所以请帮我解决这个问题。

谢谢！

Jaya Prasad

您好、Jaya、

栅极电阻越高、电压是多少？ 该测试期间 MOSFET (漏源极)上的压降是多少？

在12V 时、MOSFET 应完全增强/导通。 更改栅极电阻实际上不应影响此级的电流、因为这是电容分量、因此一旦开启、就只会消耗漏电流。  

此致、

Luis Hernandez Salomon

尊敬的 Luis：

通过移除100E 电阻并短接、解决了电流检测问题。 我还有一个问题是禁用欠压保护。 那么、如何在  BQ7791506中禁用欠压保护？ 请建议我修改或合适的 IC。

谢谢！

Jaya Prasad

您好、Jaya、

该工程师目前不在办公室、无论今天还是明天。 他们将在星期一回来提供回复。

感谢您的耐心。

此致、
Alexis

您好、Jaya、

有意思。  您移除了哪些电阻器？

无法从该器件禁用 UV。 如果您想选用可禁用 UV 的器件、可改用 BQ77307、这是一款可编程保护器、因此可在需要时禁用 UV。  

另一种可以使用的 IC 是 BQ76922、这是一个监控器和保护器件、可以通过自定义设置进行 OTP 校准并独立工作。

此致、

Luis Hernandez Salomon

尊敬的 Luis：

感谢您的答复。 我已从电流检测电阻中移除100E 电阻器(SRN 和 SRP)。

我是否可以 在不带 MCU 的情况下将 BQ77307 用于300AH 电池？  

如何在此 IC 中禁用 UV、您能否分享任何基准电路？

谢谢！

Jaya Prasad

尊敬的 Luis：

如何 在 BQ7791506中对欠压(1.2V 等较低电压)进行编程。

谢谢！

Jaya Prasad

您好！

工程师将在冬季假期到新年结束。

感谢您的耐心。

尊敬的 Luis：

我询问了 BQ77915有关欠压的信息、数据表中给出的最低电压为1.2V、且写为可编程值。 可设置为1.2V。 因此、请澄清一下。

谢谢！

Jaya Prasad

尊敬的 Luis：

感谢您澄清了欠压设置。 您可以为您推荐适合我的应用的 IC 器件、其欠压设置为1.2V-1.5V 且具有/不具有 MCU 要求。  

我的应用为12V BMS/300A 、且欠压截止电压为10V (无负载移除选项)。 BQ7791506 /  BQ77307 AR 不满足我的要求。

谢谢！

Jaya Prasad