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[参考译文] BQ77915:负载电流不是随着电流电阻器的更改而增加

Guru**** 2386380 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ76922, BQ77915, UCC27517, BQ77307
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1446050/bq77915-load-current-is-not-increasing-with-current-resistors-changes

器件型号:BQ77915
主题中讨论的其他器件: UCC27517BQ77307、BQ76922

工具与软件:

大家好、团队成员:

我们已经为车辆中的40Ah 启动机电池开发了使用 BQ7791506的12V BMS。 但在启动期间、BMS 不允许 所需的启动电流。 因此、我们尝试通过添加更多电流电阻器来更改电流电阻器(目前1m Ω 3个并联 R17、R18、R19)。 但电流不会增加。 所需的启动电流约为400A+。 放电栅极电阻为 R21 10K 和 R23-R27 - 130E、充电电阻为 R37-4.7K 和 R32-R36 - 130E。 我已附上 MOSFET (TO-263) 数据表和原理图。 因此、请查看并提供解决此问题的建议。

谢谢!

Jaya Prasade2e.ti.com/.../SPN04200.pdfe2e.ti.com/.../40AH-BMS-Schematic.pdf

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    您好、Jaya、

    电流检测电阻听起来过高。 您提到了三个并联的1m Ω 电阻器、即~0.333m Ω。 如果您需要 BQ7791506进行400A 以上的放电、则需要 50mV/400A = 0.125m Ω 的最大电阻。

    您还必须考虑保护的容差:

    因此、对于 OCD1、本例中的保护为50mV +/-10mV。 您需要选择电流电阻来加以考虑。

    此致、

    Luis Hernandez Salomon

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    尊敬的 Luis:

    感谢您的答复和建议。 但是、为什么放电电流会随着放电栅极电阻值从10K 增加到47k 或更高而增加? 您能解释一下吗?

    谢谢!

    Jaya Prasad

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    尊敬的 Luis:

    请检查充放电中的栅极电阻值、并且我的 MOSFET Qg 为235nC。 还请给出栅极电阻器的正确计算值。

    谢谢!

    Jay

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    您好、Jaya、

    栅极电阻器的典型值远低于该值。 5k Ω 应该可以。  

    更改栅极电阻器只会真正影响 MOSFET 的导通/关断。 MOSFET 本身是允许电流流动的、BQ77915不会影响电流流动、只会打开或关闭 MOSFET。

    此致、

    Luis Hernandez Salomon

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    尊敬的 Luis:

    感谢您的答复、我有一个疑问。 我认为我的 MOSFET 无法正常开关、因为 MOSFET Qg = 235nC、它需要更高的 IC 栅极驱动电流。 即使增加电流检测电阻的数量、放电电流也没有增加、观察到 DSG 驱动信号也将关闭。

    是否可以使用栅极驱动器 ( UCC27517)、而不直接从 IC 驱动? 如果可能、请展示如何使用?

    谢谢!
    Jaya Prasad

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    您好、Jaya、

    我不认为235nC 会导致这个问题。 通常、这会导致 FET 的开关速度变慢、但它仍应驱动到接近的电平。 对于您的情况、DSG/CHG 引脚上看到的相对于 VSS 的电压是多少?

    如果需要、可以使用栅极驱动器、但我认为没有必要这样做。 我们已 在其他器件中将 UCC27524DR 用于低侧 FET 驱动器。

    此致、

    Luis Hernandez Salomon

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    尊敬的 Luis:

    感谢您的回复、我已观察到与 DSG/CHG 引脚上的 VSS 相关的电压为12V。 因此、请建议栅极电阻器以400A 的电流驱动、并且已经使用0.12mohms 的电流电阻器、但放电电流不会随着电流电阻器的减小而增加。 它只是随着栅极电阻器的增大而增加。 这意味着开关速度较慢、MOSFET 将在故障情况下发生故障。 所以请帮我解决这个问题。

    谢谢!

    Jaya Prasad

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    您好、Jaya、

    栅极电阻越高、电压是多少? 该测试期间 MOSFET (漏源极)上的压降是多少?

    在12V 时、MOSFET 应完全增强/导通。 更改栅极电阻实际上不应影响此级的电流、因为这是电容分量、因此一旦开启、就只会消耗漏电流。  

    此致、

    Luis Hernandez Salomon

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    尊敬的 Luis:

    通过移除100E 电阻并短接、解决了电流检测问题。 我还有一个问题是禁用欠压保护。 那么、如何在  BQ7791506中禁用欠压保护? 请建议我修改或合适的 IC。

    谢谢!

    Jaya Prasad

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    您好、Jaya、

    该工程师目前不在办公室、无论今天还是明天。 他们将在星期一回来提供回复。

    感谢您的耐心。

    此致、
    Alexis

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    您好、Jaya、

    有意思。  您移除了哪些电阻器?

    无法从该器件禁用 UV。 如果您想选用可禁用 UV 的器件、可改用 BQ77307、这是一款可编程保护器、因此可在需要时禁用 UV。  

    另一种可以使用的 IC 是 BQ76922、这是一个监控器和保护器件、可以通过自定义设置进行 OTP 校准并独立工作。

    此致、

    Luis Hernandez Salomon

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    尊敬的 Luis:

    感谢您的答复。 我已从电流检测电阻中移除100E 电阻器(SRN 和 SRP)。

    我是否可以 在不带 MCU 的情况下将 BQ77307 用于300AH 电池?  

    如何在此 IC 中禁用 UV、您能否分享任何基准电路?

    谢谢!

    Jaya Prasad

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    尊敬的 Luis:

    如何 在 BQ7791506中对欠压(1.2V 等较低电压)进行编程。

    谢谢!

    Jaya Prasad

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    您好!

    工程师将在冬季假期到新年结束。

    感谢您的耐心。

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    您好、Jaya、

    在发货之前、在 TI 工厂对保护措施进行了编程。 为了创建具有自定义设置的新器件、需要进行新的旋转。  

    BQ77307需要一个 MCU 来对阈值进行编程、因为它没有客户 OTP 来对自定义设置进行编程。

    但是、BQ76922具有客户 OTP、因此您可以对自定义设置进行编程、但这需要额外的生产流程;要对 OTP 进行编程、VC5/BAT 上需要11V。

    此致、

    Luis Hernandez Salomon

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    尊敬的 Luis:

    我询问了 BQ77915有关欠压的信息、数据表中给出的最低电压为1.2V、且写为可编程值。 可设置为1.2V。 因此、请澄清一下。

    谢谢!

    Jaya Prasad

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    您好、Jaya、

    正如我在上一次答复中所述:

    在出厂前已在 TI 工厂对保护机制进行了编程。

    这意味着、这只能由 TI 进行编程。 参阅 第 6节"器件比较表" 以用作当前已发布器件的参考。

    此致、

    Luis Hernandez Salomon

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    尊敬的 Luis:

    感谢您澄清了欠压设置。 您可以为您推荐适合我的应用的 IC 器件、其欠压设置为1.2V-1.5V 且具有/不具有 MCU 要求。  

    我的应用为12V BMS/300A 、且欠压截止电压为10V (无负载移除选项)。 BQ7791506 /  BQ77307 AR 不满足我的要求。

    谢谢!

    Jaya Prasad

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    您好、Jaya、

    查看我之前的回复:

    [报价 userid="450206" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1446050/bq77915-load-current-is-not-increasing-with-current-resistors-changes/5586257 #5586257"]

    BQ77307需要一个 MCU 来对阈值进行编程、因为它没有客户 OTP 来对自定义设置进行编程。

    但是、BQ76922具有客户 OTP、因此您可以对自定义设置进行编程、但这需要额外的生产流程;要对 OTP 进行编程、VC5/BAT 上需要11V。

    [报价]

    此致、

    Luis Hernandez Salomon