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[参考译文] LMG3522R030-Q1：内部5V LDO 故障原因

admin
Guru**** 2502205 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1454644/lmg3522r030-q1-internal-5v-ldo-failure-reasons

器件型号：LMG3522R030-Q1

工具与软件：

Hai 团队

我将此部件用于全桥相移 ZVT。 但在300V 输入中、低 MOSFET (桥的底部 MOSFET) 5V 内部 LDO 显示1.9 Ω 阻抗。 我正在5V 的电压下从外部加载3 mA、还通过 ORing 二极管为全桥的每个低侧 MOSFET 连接了5V 电压。 导致问题。  

或者、该内部5V LDO 发生故障的具体原因是否存在。

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    TI__Guru**** 2502205 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Joseph：

    过压时、LDO5V 引脚上的 ESD 单元可能会短接至 GND。 如果电源环路中存在寄生电感、GaN 的快速导通速度 (高 di/dt)可能会导致这些电压尖峰。  通常、在 GaN 器件和去耦电容器的布局中可以看到这种寄生电感。 您能否分享您的布局(如果您愿意、我们也可以通过电子邮件查看)？

    此致！

    Kyle Wolf  

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    TI__Guru**** 2502205 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kyle：

    感谢您的答复、并对延迟表示抱歉。

    我已经将上升时间设置为150V/ns。

    请告诉您的电子邮件 ID、以便我可以共享相同的布局。

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    TI__Guru**** 2502205 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Joseph：

    我已通过电子邮件联系您。 此外、您能尝试降低压摆率吗？ 这还有助于减少会导致电压尖峰的振铃。

    此致！

    Kyle Wolf