[参考译文] TPS65988：在灌电流端口之间切换

实际上非过载时间可能为1ms、但断开后切换的时间为7ms。 是否有办法减少切换回端口 A 的时间？  同样在我的上述描述中、与端口 A 协商的 PD 为5V、3A、这是不正确的

尊敬的 David：

您如何在电源路径之间进行切换？ 您是依靠 RCP 作为电源路径还是其他一些东西？

您能否提供系统的简单方框图以阐明灌电流路径要使用哪些电源路径？ (内部、外部等)

谢谢。此致、

Chris

这是方框图。  .   

David、

感谢您的 Digaram。

您如何在电源路径之间进行切换？ 是否正在使用某项功能、MCU 控制、或者您是否依赖于硬件？ 外部电源路径上是否存在 RCP？

谢谢。此致、

Chris

通电后、我们清除电池电量耗尽标志、然后让 TPS65988执行此操作。  方框图显示了产品中将功率回送至端口 A 的功能。 我们尚未实现此功能。  端口 A 已连接到 PC。  当端口 B 连接到充电器时、协商高达20V 3A 的功率、然后  TPS65988 会在1ms 内将 SYS 电源从端口 A 切换到端口 B。  如果端口 B 断开连接、则外部交换机需要7ms 才能连接到端口 A。 RCP 是什么意思？  

尊敬的 David：

在 TPS988EVM 上、我们执行类似的操作、其中两个外部端口都用于接收功率。 对于 EVM、如果外部电源路径的系统侧的电压高于协商的灌电流电源路径、则外部电源路径包含背对背 FET 和硬件 RCP 的额外级。 这允许在灌电流电源路径之间立即切换。

您能否共享最新的 pjt 文件以及您使用的 GUI？ 我需要了解是否能够针对具体应用更快地在电源路径之间切换、但我还不确定这是否可行。

谢谢。此致、

Chris

e2e.ti.com/.../Simple_2D00_UFPOnlyTemplate.pjt

我们的原理图如下：  

我们在制作原理图时使用了与我们收到的 EVM 原理图相同的 P-MOSFET。  遗憾的是、在 EVM 原理图上、P-MOSFET 的器件型号不正确。  对于5V VBUS、栅极电压不足以导通 MOSFET、因此 MOSFET 两端出现不可接受的压降。   EVM 上的 R22和 R24均为10k。  为确保 MOSFET 足够导通、我们将 R22更改为100k。  这导致 C10、C170和 C9关闭 MOSFET 的效果是开启 MOSFET 的10倍、并且我们在重新驱动5V 端口的20V 电压时遇到了问题。  我们对所有电容都进行了 DNP、这样这个问题就不再发生了。  我仅使用了多端口受电方策略："只有最高功率受电路径关闭开关"选项、认为这是安全路由。  我们将收到的下一个修订版是我将电阻器从100k 和10k 更改为10k 和1k (这是此处显示的原理图)我在仿真中看到、MOSFET 中的电容会导致问题、而减小电阻器值应该会降低这种可能性。  如果包含比较器电路、使用"两个端口都将闭合开关"是否安全？

谢谢 David。

请给我一些时间提供反馈、并预计节假日会造成一些延迟。

谢谢。此致、

Chris