[参考译文] UCC21521：UCC21521驱动 SiC MOSFET 效率极低

尊敬的 Darek：

感谢您提供所有这些详细信息。

我首先想的是是否有足够的电流将二极管适当偏置到所需的电压。 这将会解释驱动器输出电压不足以提供负偏置、但仍然尝试降至0以下。

• 根据数据表中的齐纳二极管 IV 特性、您可以计算电阻值以正确偏置二极管(R =(Vsource - Vz)/ Iz)

如果这样做有帮助、请告诉我。

此致、

Hiroki

尊敬的 Hiroki：

在 VDDA、VDDB - 22V、VZ=4.3时、我通过齐纳使21mA 变得更多、因为其 VZ1为45mA。

当我测量稳定状态时、我确实看到齐纳二极管上的压降接近4.3V、因此我只提供提供最低电流、该电流会提供齐纳电压。

当我具有3W 齐纳二极管时、我可以最大程度地放置甚至是500mA。 我认为、当 MOSFET Vgs 达到高电平->低电平时、我可能会遇到流过齐纳二极管的电流不足的问题、因为在这种情况下、电流会从齐纳二极管窃取、并且驱动器会将该电流与栅极电流一同灌入、以关断 MOSFET。 该电流的正确平衡是多少、我可以考虑多大的齐纳电流用于灌电流？ 电流是如何分离的吗？

此致、

Darek

尊敬的 Darek：

有趣的是、在齐纳二极管上使用4.3V 电压时、波形应该会存在明显的差异、因为栅极驱动器看到的 VDD 电压应该是 R38上的电压加上 Vz。  

只要有足够的电流来充分偏置二极管、就不应该有任何问题。

根据波形、我担心导通状态下没有稳定的电源、也没有不稳定的关断状态。 为了更好地隔离问题根源、您可以在没有齐纳负电压连接的情况下进行测试吗？

此致、

Hiroki