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器件型号：LM34936 工具与软件：
您好、TI
我已验证 LM34936的 EVB 套件
这是一个问题。
在降压/升压模式下将12Vin 更改为12Vout 和原始 BOM 条件。
当升压模式下的高侧 MOSFET 关断时、测量出 Vgs 过高的问题。
原始 BOM 配备了"BSC039N06Ns"、Vgs (th)为2.1V 至3.3V
I 测得的值为2.81V、持续时间为2.2ns、超过了最小值2.1V。
请参阅随附的波形
如何判断高侧 MOSFET 中是否没有击穿？ 我是否应该关心这个过高的 Vgs？
