工具与软件:
大家好、我是 David。
我目前正在使用这个特定的 IC 来开发一个 USB PD 应用。 但是、在 USB PD 上、一个关键的功能是放电功能。 LM51772数据表指出、放电可以通过 DISCHARGE_STRENGTH、DISCHARGE_CONFIG_0和 DISCHARGE_CONFIG_1子寄存器进行配置、但它还指出、配置的任何序列都将由 FORCE_DISCHG 子寄存器覆盖。 现在、我想知道这是否仅适用于 DISCHARGE_CONFIG_0和 DISCHARGE_CONFIG_1子寄存器? 因为它会使序列失效、但放电电路的压摆率与 Discharge_strength 是相同的? 或者它会使一切无效并以'它的方式'工作吗?
此外、 与设置 FORCE_DISCHG 位相比、通过设置 DISCHARGE_CONFIG_0 位激活输出电压放电有多大不同? 哪一项都更适合 USB PD?
无论如何、如果能帮助我更好地了解此特定 IC 功能的实现、我将不胜感激。
新年快乐!
David Tobar
