主题中讨论的其他器件: LM5146-Q1-EVM12V、CSD18563Q5A 、CSD18533Q5A 、 LM25137
工具与软件:
您好!
我正在使用 LM5145设计电压稳压器。 输入范围为15-52V、输出为12V (10-12A)。 我几乎完全遵循了 LM5146-Q1-EVM12V 布局。 我的设计是单面的。 我已从数据表的"9.2.2设计2—适用于射频电源应用且具有 LDO 低噪声辅助输出的高密度、12V、10A 电源轨"中获取了大部分值。
原理图:
布局采用 EasyEda。 您希望我如何与您分享?
问题:
我在 开关节点上看到很大的电压尖峰。 这是采用52V 输入电压和12V 10A 输出电压(具有电阻负载)时的情况。 查看照片:
此外、以下是输出噪声的图片:
MOSFET 和电感器在12V 10A 连续输出和52Vin 下也能达到>100摄氏度、但测量效率仍~90%。 这是预期结果吗? 我正在使用的 CSD18563Q5A MOSFET 的额定电压仅为60V、SW 节点电压尖峰峰值高达80V 是否会导致 FET 显著升温? 这些 FET 应该达到多高的温度?
我怀疑所有这些问题都是由软件尖峰引起的。 我尝试了从 SW 到 GND 的 RC 缓冲器、阻值为1欧姆- 6欧姆和100pF - 680pF、以抑制尖峰并减少振铃。 我还尝试将 BST 电阻器从2.2 Ω 增加到5 Ω 以降低开关速度。 两者都没有改善情况任何明显的量。
对如何改善这些问题有什么建议?
提前感谢!