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[参考译文] TPS25730:原理图审核请求

Guru**** 2502205 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS25730, TVS2200

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1458838/tps25730-schematic-review-request

器件型号:TPS25730
主题中讨论的其他器件: TVS2200

工具与软件:

尊敬的 TI:

您能否就 TPS25730D 仅受电 PD 的这个简单原理图提供反馈?  它是一个仅 VBUS 电路板、没有电池。

需要特别注意的是、右上角的开漏输出中有几个用于每个灌入高达3.6mA 的 LED 电流(具体取决于 VBUS 所处的电压、可能在5-20V 之间变化)。  这是否可接受、或者必须在每个 LED 上使用分立晶体管来减少流入开漏输出的电流?

此外、FAULT_IN 以10k Ω 的负载上拉至 LDO_3V3。  这将启用 TPS25730D、对吧?

欢迎提供任何其他反馈。  

谢谢!

未显示:VBUS_IN、CC1和 CC2来自 USB-C 连接器;也未显示 VBUS 上的 TVS2200钳位、如 TPS25730数据表中所建议。

Mike

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    尊敬的 Mike:

    由于 GPIO 可能会超过其最大额定电压、因此不建议将该端口直接连接至 VBUS。

    对于任何未使用的 GPIO、我建议连接到 GND、特别是 DBG_ACC。 我可以在一周结束前做更深入的回顾。 (尽管我看不到任何明显的问题)

    此致、

    Conner

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    尊敬的 Conner:

    感谢您的快速回复。  我已根据您的建议修改了原理图、具体来说就是:

    • 未使用的 DBG_ACC 连接到 GND
    • 开漏输出 PLUG_FLIP、CAP_MIS、PLUG_EVENT 和 SINK_EN_n 均上拉(100k)至 LDO_3V3。
    • 然后、开漏输出用于驱动4个分立式晶体管(对于 SINK_EN_n 为3个 NMOS 和1个 PMOS、因为它使用反相逻辑)的栅极。

    如果你能在本周晚些时候再看一次的话,那将是非常棒的。  主要目的是确保正确处理 FAULT_IN、并且器件将开启。  FAULT_IN 通过10k 电阻器上拉至 LDO3V3。

    再次感谢您的帮助。

    Mike

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    感谢您提供更新后的原理图、非常有用。

    我已经完成了深入审核、我认为您的实施没有任何问题。 如果您不想使用外部 LDO、可以对 LED 使用 LDO_3V3电源轨、如 EVM 中实现的那样(如下所示):

    此致、

    Conner

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    感谢您发送编修。  是的、我看到了内部 LDO。  它只能根据数据表找到1mA 电流、但是当您用您的原理图演示时、也许这对于 LED 足够了。  我将对其进行了解。

    Mike