主题中讨论的其他器件:TL431
工具与软件:
您好!
我再次从喜欢的主题中选取关于重复使用 Rcomp 和 Ccomp (RC)的问题。

我在其他应用手册中没有看到。 如何设计这些?
IC 侧的 RC 值是否始终与光耦合器输入侧的 RC 值相同? 与真正的光耦合器极无关? 或者是否有任何场所适用?
我正在使用 snva866a 进行设计过程:
5.2章节中的公式对 RC´s 两侧都有效吗?
这是什么?

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工具与软件:
您好!
我再次从喜欢的主题中选取关于重复使用 Rcomp 和 Ccomp (RC)的问题。

我在其他应用手册中没有看到。 如何设计这些?
IC 侧的 RC 值是否始终与光耦合器输入侧的 RC 值相同? 与真正的光耦合器极无关? 或者是否有任何场所适用?
我正在使用 snva866a 进行设计过程:
5.2章节中的公式对 RC´s 两侧都有效吗?
这是什么?

尊敬的 Sebastian:
感谢您的咨询。
你所指的图片有点误导。 初级侧 RCOMP 和 CCOMP 与次级侧的元件无关。
"实际补偿"在次级侧 TL431完成。 在这里、仅 CCOMP 就足够了、因为它不会引入极点、而是零点(与上反馈电阻器结合)、但 RCOMP 仍可用于增加相位裕度。
使用初级侧元件的原因是为了减小内部环路的中心带增益、以便内部环路的总相移大致保持恒定(内部环路的早期交叉)。
这个主题是相当复杂的,更多的解释,我建议观看这段视频: https://www.ti.com/video/5426178629001
另外、我们计划很快发布一份涉及此主题的应用手册。
[quote userid="610728" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1462322/lm5156-q1-design-of-double-rcomp-and-ccomp 第5.2章中的公式对 RC´s 两侧都有效吗?公式适用于次级侧的补偿元件。
此致
Moritz
您好、Moritz、
感谢您的反馈、这对我来说很有意义。
是的、初级侧和次级侧的 RC´s Ω 命名相同(并且在示例中也使用相同的值)可能会导致误解。
我将观看推荐的视频并等待应用手册。
之前有两个问题:
由于应用手册中的公式不考虑初级侧的补偿、您是否有公式可供选择?
使用 XLSX 时、哪个极点的环路增益也不会考虑初级侧补偿、正确吗?
我想绘制被控对象和补偿器的传递函数图、并将其与实际测量值进行比较。
此致、Sebastian