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[参考译文] LMG3100R017:半桥配置中的死区时间

Guru**** 2381030 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG3100R044, LMG3100R017
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1463658/lmg3100r017-dead-time-in-half-bridge-configuration

器件型号:LMG3100R017
主题中讨论的其他器件:LMG3100R044

工具与软件:

大家好、团队成员:

此问题适用于 LMG3100R017和 LMG3100R044。

我在数据表中看到一条注释、"为了根据设计需求灵活地优化死区时间、LMG3100未实现重叠保护功能。"  此外、"必须仔细考虑控制输入以避免击穿情况。"

对于在半桥配置中使用 LMG3100、您是否有关于有效死区时间的指导?  似乎小于100ns 时仍然会导致一些击穿、因此我想看看大家都推荐什么。  提前感谢您的支持。

此致、
Brian

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Brian、您好!

    在某些 GaN 器件中、我们整合了击穿保护或锁存输入信号、从而防止两者同时导通。 但是、使用 LMG3100、我们不能通过实现这些特性来实现更灵活的死区时间。
    例如、在半桥配置中配置 LMG3100时、客户可以使用集成电平转换从低侧器件同时提供 HI 和 LI 信号、如下所示:

    在此配置中、HI 的传播延迟将明显长于 LI、因为信号需要通过电平转换通过低侧器件:

    这意味着由于传播失配较高、因此 PWM 信号可实现负死区时间。 FET 实际上不会同时导通、但控制器的信号需要考虑这一点。 一种方法是在大约~30ns 后将低侧信号移位、方法是添加 RC 时间常数以解决高电平信号路径中的额外延迟

    LMG3100可轻松实现小于100ns 的死区时间、我们通常建议死区时间至少为8ns 至10ns。 我建议检查低侧和高侧器件 LI 引脚上的信号、以确保按预期施加死区时间。

    谢谢!
    Zach S