工具与软件:
我们的客户希望了解 修订历史记录。 最新数据表的说明如下。
将修订版本 C (2018年6月)更改为修订版本 D (2023年11月)页面
•已更改输入(INA、INB)电气特性中的输入阈值电压值.......................................................................................... 5.
•删除了 VOH 输出高电平和 VOL 输出低电平、更改了输出电阻高电平和输出电阻低电平值并删除了输出(OUTA、OUTB)电气特性中的闩锁保护.......................... 5.
•更改了图5-2的标题并更改了图5-5和图5-6 .......................................................................... 6.
关于" 更改输出电阻高值和输出电阻低值"
在数据表中、新 IC 的输出电阻值似乎在下降。
但新 IC 和旧 IC 之间的测量条件/方法不同。
请告知我们此差异的详细信息。 如果您能用图表进行说明将会有所帮助。
SLUS678D

(2)输出上拉电阻此处是一种仅测量 PMOS 结构(而不是 N 沟道结构)电阻的直流测量
SLUS678B

(3)驱动器的上拉/下拉电路是并联的双极和 MOSFET 晶体管。 当驱动器输出上的电压低于双极晶体管的饱和电压时、输出电阻为 MOSFET 晶体管的 RDS (ON)。
此致、
库拉
