[参考译文] BQ76952：MOSFET 栅极引脚上的压降

你好、Mrinal、

您是否介意分享 FET 的完整原理图？ 很可能会在某个位置发生泄漏。

此致、
Alexis

您好！

这是我的 MOSFET 原理图：

我在共漏极 MOSFET 的源极引脚之间有一些并联 TVS。

我认为这可能与 MOSFET 损坏有关。 每次 IC 在放电期间关断时、都会有一个 MOSFET 烧毁。

其中一个栅极甚至未连接的 MOSFET 在 IC 关闭时烧毁。 我检查了开关时间、发现 CHG 关断时间约为30us、而 DSG 关断时间为2-3us。 DSG MOSFET 在 CHG MOSFET 之前关断。 这会导致电流通过体二极管、直到 CHG MOSFET 关断。

在放电周期期间、IC 是否不会先关断 CHG MOSFET、然后关断 DSG MOSFET？ 或者我们是否必须注意电路中的计时？

压降可能与 MOSFET 故障有关。 我目前还不确定、因为有时即使是新推出的 MOSFET 也会出现这种情况。

编辑：

我已将 DSG 关断时间增加到10-12uS、并注意到 MOSFET 到目前为止尚未烧毁。 但是、当电流20A 开始导通时、栅极电压从10V 下降到5V。 我已经将电荷泵电容器增加到2 μ F、但导通时电压仍降至5V。

你好、Mrinal、

FET 驱动器具有可通过外部电路调节的关断强度。 也可以只使用外部电路来执行关断、而这主要是通过 PNP 晶体管完成的。

我很高兴听到您解决了 FET 烧毁的问题、因为若关断速度过快、可能会导致此问题。 该 MOSEFT 故障常见问题解答 也可能有助于回答/解决某些问题。

您是否介意分享您分享您分享的器件的 BOM 列表？

此致、
Alexis