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[参考译文] UCC21750-Q1:Miler 平台

Guru**** 2379470 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1463536/ucc21750-q1-miler-platform

器件型号:UCC21750-Q1

工具与软件:

嗨、团队:

在进行双脉冲测试时、我的客户在 VCE 的降序过程中发现了一个平台。 是否有任何方法对其进行优化?



此致、

Sveinn

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    尊敬的 Sveinn:

    该模块的输入电容是多少? 看起来它具有高电容、我们需要增加驱动强度以实现更快的 VCE 转换。 可以通过、

    • 客户能否降低栅极电阻值? (能否 完全拆下或进一步降低?)
    • 似乎客户的栅极上有巨大的22nF (C212)电容器-他们可以将其去除还是降低该值?  

    谢谢

    SASI

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    大家好、Sasi、

    感谢您的帮助。

    我还有一个问题。

    STO 的400mA 是恒流源吗? 它的内部结构是什么?

    此致、

    Sveinn

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    尊敬的 Sveinn:

    由于2024年1月20日在美国度假、许多器件专家目前都不在办公室。  

    我可以帮助回答这个问题。 是的、400mA 是恒流源。

    谢谢!
    Pratik

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    感谢 Pratik 的快速支持。  

    你好、Sveinn

    内部 NMOS FET 根据栅极上的内部电阻、以大约400mA 驱动强度将 OUTL 拉至 VEE。 它不是电流源。

    谢谢

    SASI

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    大家好、Sati、Pratik、

    谢谢。

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    嗨 Sasi、

    基于栅极内部电阻

    如何理解"基于栅极上的内部电阻"、您是指 Rg_int 还是 Rol 或其他类型?

    如果它是罗尔,罗尔的价值是什么?  

    OUTL 上的驱动电阻是否会影响 STO 电流? 如果是、是否有用于计算电流的粗略公式?

    例如、  

    正如我们在电子邮件中所述、我们的测试条件并不表示 VOUTL 和 VEE 之间的电压差。

    能否解释一下如何确定400mA 周围的电流?

    此致、

    Sveinn

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    尊敬的 Sveinn:

    我是指下拉 FET 的内部电阻。 结果为~20V/FET = 50 Ω(在400mA 运行的线性模式期间)。 20V 是 OUTL wrt 到 VEE

    如果考虑栅极电压而不是 OUTL、则还需要考虑外部栅极电阻。

    谢谢

    SASI