请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：BQ76952 工具与软件：
与之相关的人员、
我们正在开发高侧 MOSFET 板以连接 BQ76952、并计划并联使用8个放电 FET 和8个并联充电 MOSFET (每个都具有9.5nF 的输入电容)。 BQ76952位于另一个板上、DSG 和 CHG 引脚输出、CP 电容器现在的大小为2.2 μ F。 我相信 BQ76952可以驱动这16个 MOSFET、但管理团队对导通/关断速度和驱动能力仍有担忧。 因此、他们想保留一种使用 DSG 和 CHG 高压引脚(我们未连接 DDSG 和 DCHG 引脚)来控制外部高侧 MOSFET 驱动器以驱动这些 MOSFET 的方法。 我想问一下、这样做是否有任何顾虑、是否有任何人使用过相同的方法或具有参考设计。
非常感谢。
此致、
