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[参考译文] CSD19535KTT：VGS (th)栅源阈值电压的测试条件

admin
Guru**** 2510095 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19535KTT

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1466420/csd19535ktt-test-condition-of-vgs-th-gate-to-source-threshold-voltage

器件型号：CSD19535KTT

工具与软件：

尊敬的团队：

我的客户对 CSD19535KTT 的 VGS (th)栅源阈值电压的测试条件有疑问。

为什么测试 consiton 的 ID =250uA？ 为什么它不是 ID=100A？

此致、

二宫幸志

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    TI__Guru**** 2510095 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Ninomiya-San、

    感谢您向客户推广 TI FET。 VGS (th)是 FET 刚刚开始导通和传导电流的位置。 在漏极和源极端子之间创建导通路径时、这是最小栅源电压。 我认为250μA 是一种行业标准、并规定了针对所有 TI FET 的 VGS (th)。 它还用于计算开关损耗。 如果还有其他问题、敬请告知。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用