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器件型号:TPS7H3301-SP 工具与软件:
您好!
Im 在使用 TPS7H3301-SP 时遇到一些稳定性问题、我将尝试提高 DDR2读取和写入操作期间的整体稳定性。
瞬变非常快、当发生转换时、瞬变似乎会在 VTT/Vo 上引起一些"振铃"。

下面是读取数据与 VTT 输出进行比较时的示波器屏幕截图。

这是当前原理图、但在运行一些仿真后、我将 R4015从36.5k 更改为499 Ω、以帮助提高性能。

以下是我用于计算 VTTSNS 电阻值的数字:
- 陶瓷电容 ESR 值未被考虑在内
- 300904107106KC ESR = 5.83mΩ@ 100kHz
- 采用的钽电容 ESR 值是最坏的情况、不是标称值、这对于响应时间会更准确
- CWR29FH227KCH 最大 ESR = 180mΩ@ 100kHz
- CWR29FH227KCH 标称 ESR = 64.05mΩ@ 100kHz
- 使用的计算可计算36.5k 电阻
- 包括陶瓷电容在内的总 ESR:1.364mΩ
- 时间常数为1.364mΩ* 700uF = 0.954us
- 1nF => 0.954u / 1nF = 954Ω。
- 499Ω 提供的性能稍好一些。
您能帮助验证我的计算结果是否正确吗? 当我使用仿真文件时、499Ω 显示的性能值比之前的36.5k 更快。 但499 Ω 现在看起来似乎会使其欠阻尼(增益裕度为40dB)、而36.5k 则为过阻尼(增益裕度为70dB)。 我必须在设计中使用的电容器上固定了 Im。
谢谢你
Albert