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器件型号：BQ76952 工具与软件：
在当前设计中、我附加了一个 P-MOSFET、用于预放电功能。
我已经启用了 FET 选项寄存器中的 PDSG_EN 位。
我已将预放电超时设置为5、并将预充电停止增量设置为0。 这应该会提供50ms 的固定脉冲。
但是、在示波器上、我注意到栅极至源极电压 Vgs 始终约为-7.5V。 当 DSG FET 关断并再次导通时、Vgs 会再骤降1V 至2V 并持续500ms。
我在这里遗漏了任何设置吗？ 我已将 DSG 和 CHG 编程为即使在睡眠状态下也开启。 要测试预充电、需要将 NTC 加热以进行温度截止。 当 MOSFET 再次导通时、我看到如前所述的骤降。
以下是我的设计原理图：
